时间：2025/12/25 10:30:58
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2SC4061KT146N是一款由东芝（Toshiba）生产的NPN型双极结型晶体管（BJT），主要用于高频放大和高速开关应用。该器件采用紧凑型表面贴装封装（如S-Mini或类似的小型化封装），适用于对空间要求严苛的现代电子设备。2SC4061KT146N的设计注重高频性能与热稳定性，具备较低的寄生参数，适合在射频（RF）信号处理、音频前置放大、脉冲电路以及DC-DC转换器驱动等场景中使用。该晶体管通过优化掺杂工艺和结构设计，在保证高增益的同时实现了良好的频率响应特性。其批次编号中的“T146N”可能代表特定的生产批次、测试分档或客户定制标识，表明该器件可能为某一线路板制造商或终端产品所专用。作为一款通用高频晶体管，2SC4061KT146N广泛应用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、无线通信模块及便携式音频设备中。
类型：NPN
集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
集电极-基极击穿电压（VCBO）：70V
发射极-基极击穿电压（VEBO）：6V
额定集电极电流（IC）：150mA
峰值集电极电流（ICM）：200mA
功耗（PC）：200mW
直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件：IC=2mA, VCE=6V）
特征频率（fT）：80MHz
工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
封装形式：S-Mini（USP-6L或类似）
2SC4061KT146N具备优异的高频放大能力，其特征频率（fT）高达80MHz，使其能够在中高频段内实现稳定的信号放大功能，适用于射频前端、小信号处理和高速数字开关电路。该晶体管在低电流工作条件下仍能保持较高的直流电流增益（hFE），典型值范围为70至700，确保了在微弱信号输入时具有良好的线性放大性能，减少了信号失真。
该器件采用了先进的平面外延工艺制造，有效控制了载流子复合率，提升了开关速度和响应时间。同时，其较小的寄生电容（如Cob）进一步增强了高频下的阻抗匹配能力，有助于减少高频信号反射和损耗。这使得2SC4061KT146N特别适合用于移动通信设备中的本地振荡器缓冲级、混频器驱动级或天线切换控制电路。
在热稳定性方面，2SC4061KT146N可在-55°C至+150°C的宽温度范围内可靠运行，表现出良好的环境适应性。其表面贴装封装不仅节省PCB空间，还具备优良的散热性能，能够通过PCB上的铜箔进行有效导热。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，适用于绿色电子产品设计。
由于其高度集成化的应用场景需求，2SC4061KT146N在生产过程中经过严格的筛选与测试，确保每批产品的电气参数一致性，从而提高整机装配良率。其小型化封装也支持自动化贴片工艺，适合大规模SMT生产线使用，降低制造成本并提升生产效率。
2SC4061KT146N常用于便携式消费电子产品的模拟与数字电路中，典型应用包括音频前置放大器、耳机驱动电路、麦克风信号放大、无线收发模块中的小信号放大级以及LC振荡电路的有源元件。在电源管理领域，它可作为低压DC-DC转换器中的驱动晶体管，用于控制功率MOSFET的栅极充放电过程，提升转换效率。此外，该器件还可用于逻辑电平转换电路、脉冲整形电路和传感器信号调理电路中，发挥其高速响应和低噪声的优势。在工业控制和通信设备中，2SC4061KT146N可用于光耦驱动、继电器控制接口以及数据传输线路的缓冲放大。其高增益特性和稳定的工作表现使其成为多种中小功率模拟系统的理想选择。
2SC4061-T146R
MMBT3904
2N3904
KSC1845FTA
