类型：NPN晶体管
　　材料：硅（Si）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：400mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2SC4061K-P具有优异的高频响应特性，适用于射频和中频放大器设计。其过渡频率（fT）达到100MHz，确保在高频条件下依然保持良好的增益性能。
　　这款晶体管的低噪声系数使其成为信号放大应用的理想选择，尤其是在需要高灵敏度的接收器电路中。
　　此外，2SC4061K-P采用TO-92封装，结构紧凑，散热性能良好，并且易于安装在PCB板上。其最大集电极电流为150mA，支持中等功率的放大需求。
　　该器件的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，适合在各种环境条件下使用，包括工业级温度要求。
　　在可靠性方面，2SC4061K-P经过严格的测试，具有较长的使用寿命和稳定的性能，适用于高要求的电子系统。

2SC4061K-P主要应用于射频和中频放大电路，例如在收音机、电视接收器、无线通信设备和音频放大器中。
　　它也常用于低噪声前置放大器、信号处理电路以及工业控制系统的模拟信号放大。
　　由于其高频特性，该晶体管还被用于射频信号发生器、调制解调器和测量仪器中，以确保信号的高质量传输和处理。
　　此外，该器件适用于需要高稳定性和低噪声的消费类电子产品，如便携式音频设备和无线传感器网络。

2SC4061K-P的替代型号包括2SC945、2N3904和BC547。这些晶体管具有相似的电气特性和封装形式，可以在部分应用中互换使用。然而，在高频或低噪声要求较高的电路中，建议根据具体设计需求选择合适的替代型号，并参考数据手册进行验证。