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2SC3743 发布时间 时间:2025/12/26 22:31:26 查看 阅读:10

2SC3743是一款由ROHM Semiconductor(罗姆半导体)生产的NPN型硅双极结型晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该器件采用紧凑的塑料封装,通常为SOT-23或类似的小型表面贴装封装形式,适合在空间受限的便携式电子设备中使用。2SC3743特别设计用于在高频条件下工作,具备优异的增益特性和低噪声性能,因此广泛应用于无线通信、射频信号放大、音频前置放大以及各类小信号处理电路中。该晶体管在制造过程中遵循严格的工业标准,确保了高可靠性和稳定性,适用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信模块等场景。由于其良好的频率响应和线性特性,2SC3743常被用作射频放大器中的驱动级或输入级晶体管。此外,该器件具有较低的集电极-发射极饱和电压,有助于降低功耗并提高系统效率。整体而言,2SC3743是一款高性能、低成本的小信号晶体管,适用于需要高增益和良好频率响应的应用场合。
  

参数

类型:NPN
  最大集电极电流:100mA
  最大集电极-发射极电压:50V
  最大集电极-基极电压:60V
  最大发射极-基极电压:6V
  最大功耗:200mW
  直流电流增益(hFE):120 ~ 480(典型值250)
  过渡频率(fT):200MHz
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

2SC3743具备出色的高频性能和稳定的直流偏置特性,使其在高频小信号放大应用中表现出色。其过渡频率高达200MHz,意味着该晶体管能够在甚高频(VHF)范围内有效工作,适用于FM收音机、无线遥控、无线数据传输模块等射频前端电路。该器件的直流电流增益范围宽(120至480),保证了在不同工作条件下仍能维持良好的放大线性度与稳定性。这一特性使得设计人员可以根据具体需求选择合适的工作点,优化增益与噪声系数之间的平衡。此外,较高的增益减少了对多级放大的依赖,有助于简化电路结构并降低成本。2SC3743的低噪声特性进一步增强了其在微弱信号放大中的适用性,尤其是在接收机前端应用中,能够有效提升信噪比。该晶体管还具有较低的寄生电容和快速的开关响应能力,这不仅提高了其在高频开关电路中的效率,也减少了信号失真。其SOT-23封装具有良好的热稳定性和机械强度,同时支持自动化贴片生产,提高了大规模制造的良率和一致性。该封装尺寸小巧,有利于实现高密度PCB布局,满足现代电子产品小型化的需求。器件的热阻特性经过优化,在正常工作条件下可有效散发热量,避免因温升导致性能下降或损坏。此外,2SC3743符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适用于绿色电子产品设计。其可靠的制造工艺和严格的质量控制流程确保了批次间的一致性,降低了产品失效风险。总体来看,2SC3743在高频性能、增益稳定性、封装集成度和环境适应性方面均表现出优异的综合性能,是许多模拟和射频电路设计中的理想选择。
  

应用

2SC3743广泛应用于各类高频小信号放大电路中,尤其适合用于便携式通信设备中的射频放大模块,如无线麦克风、对讲机、遥控器和无线传感器网络节点等。在这些应用中,它通常作为第一级低噪声放大器(LNA)来增强接收到的微弱射频信号,从而提高整个系统的灵敏度和接收性能。此外,该晶体管也常见于FM广播接收机的中频或射频放大级,凭借其高增益和低噪声特性,能够有效提升音频输出质量。在消费类电子产品中,2SC3743可用于耳机放大器、音频前置放大器以及各类信号缓冲电路中,提供清晰且不失真的信号放大功能。在工业控制领域,该器件可用于光电传感器、接近开关和编码器信号调理电路中,作为高速开关或线性放大元件。由于其快速的响应时间和良好的温度稳定性,2SC3743也可用于脉冲信号处理和数字逻辑接口电路中,实现电平转换或驱动功能。在物联网(IoT)设备中,该晶体管常用于Zigbee、Bluetooth Low Energy(BLE)或其他低功耗无线模块的射频前端,协助构建稳定可靠的无线连接。此外,2SC3743还可用于测试测量仪器中的信号调理部分,例如示波器探头或信号发生器的输出缓冲级。其小型封装和高可靠性也使其适用于汽车电子系统中的非关键性信号处理单元,如车载娱乐系统的音频通道或遥控门锁接收模块。总之,凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式,2SC3743在通信、消费电子、工业自动化和嵌入式系统等多个领域都有广泛应用前景。
  

替代型号

[
   "MMBT3904",
   "BC847B",
   "2SC3356",
   "2SC3838",
   "KSC1845"
  ]

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  • 2SC3743
  • Silicon NPN triple diffusion planar ...
  • PANASONIC
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2SC3743参数

  • 数据列表2SC3743 View all Specifications
  • 标准包装100
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)800V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 160mA,800mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)6 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换4MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220F-A1
  • 包装散装