2SC365CF-TE 时间：2025/9/21 0:02:01 阅读：5

2SC365CF-TE是一款由东芝（Toshiba）生产的NPN型硅晶体管，属于通用高频放大和开关应用的双极结型晶体管（BJT）。该器件采用小型表面贴装封装（S-Mini），适用于需要高频率性能和紧凑布局的电子电路设计。2SC365CF-TE广泛应用于便携式通信设备、无线模块、射频前端电路以及各类低功率信号放大和数字开关系统中。其设计优化了高频增益特性，能够在VHF/UHF频段提供稳定的电流放大能力，适合在高频环境下工作的模拟和混合信号电路。此外，该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，适合自动化贴片生产工艺，满足现代电子产品对小型化、高集成度和高可靠性的要求。器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应全球绿色环保制造趋势。

参数

类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCB）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件：IC=2mA, VCE=5V）
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作结温（Tj）：-55°C～+150°C
　　封装形式：S-Mini（超小型表面贴装）

特性

2SC365CF-TE具备优异的高频响应能力，其典型过渡频率（fT）高达8GHz，使其非常适合用于高频小信号放大电路，如射频接收机前端、本地振荡器缓冲级和高频驱动电路。该晶体管在VHF（30MHz～300MHz）和UHF（300MHz～3GHz）频段内表现出稳定的增益特性，能够有效提升系统的信号处理能力和灵敏度。其高fT值源于精细的硅外延工艺和优化的掺杂分布，确保载流子快速通过基区，从而降低传输延迟并提高开关速度。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围宽，典型值为70至700，允许在不同偏置条件下灵活配置放大电路的工作点，提升设计适应性。同时，器件在低电流区域仍能保持较高的增益，适用于微弱信号的逐级放大，如传感器信号调理或低噪声前置放大器。
　　2SC365CF-TE采用S-Mini封装，尺寸紧凑，有利于节省PCB空间，特别适用于智能手机、无线模块、蓝牙设备、Wi-Fi模块等对体积敏感的应用场景。其封装具有良好的热传导性能和机械稳定性，支持回流焊工艺，适合大规模自动化生产。
　　此外，该晶体管具备良好的温度稳定性，在宽温度范围内（-55°C～+150°C）保持电气特性的一致性，适用于工业级和消费级环境下的长期运行。其最大集电极电流为100mA，功耗为200mW，适用于低功耗信号处理电路，避免过热问题，提升系统整体可靠性。

应用

2SC365CF-TE主要用于高频小信号放大和高速开关应用。典型应用场景包括射频接收和发射模块中的低噪声放大器（LNA）、混频器驱动级、本地振荡器缓冲器以及高频振荡电路。在无线通信设备中，如手机、无线耳机、IoT终端、RFID读写器和远程控制模块中，该晶体管可作为关键的信号放大元件，提升系统的接收灵敏度和信号完整性。
　　此外，它也适用于各类消费类电子产品中的模拟开关电路、脉冲放大器和谐振电路，例如在音频前置放大、传感器信号增强、时钟缓冲和逻辑门驱动电路中发挥重要作用。由于其高增益和高频率特性，该器件还可用于视频信号处理电路和高速数据传输接口的信号整形与驱动。
　　在工业控制和汽车电子领域，2SC365CF-TE可用于低功率信号调节模块，如温度传感器信号放大、光电信号检测和电机控制反馈回路中的小信号处理。其高可靠性和耐温性能使其能在复杂电磁环境和宽温条件下稳定工作，满足严苛的应用需求。