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2SC3649T-TD-E 发布时间 时间:2025/8/2 7:01:51 查看 阅读:35

2SC3649T-TD-E 是一款由东芝(Toshiba)制造的NPN型双极性晶体管(BJT),常用于高频放大和开关应用。该晶体管具有良好的高频特性和快速开关能力,适用于各种电子电路设计。

参数

类型:NPN型双极性晶体管
  最大集电极电流:150mA
  最大集电极-发射极电压:50V
  最大基极-发射极电压:5V
  最大功耗:300mW
  频率范围:100MHz
  增益带宽积:100MHz

特性

2SC3649T-TD-E晶体管具有优异的高频性能,适合用于高频放大电路。其快速开关特性使其在数字电路和脉冲电路中表现出色。此外,该晶体管具有较高的可靠性和稳定性,能够在各种工作条件下保持良好的性能。
  该晶体管的封装形式为TO-92,便于在电路板上安装和使用。其低噪声特性也使其在音频放大电路中表现出色。此外,2SC3649T-TD-E具有较高的电流增益,能够有效放大信号,适用于多种应用场合。

应用

2SC3649T-TD-E晶体管广泛应用于高频放大电路、开关电路、脉冲电路以及音频放大电路。其高频特性使其在射频(RF)电路和通信设备中表现出色。此外,该晶体管也常用于数字电路中的逻辑门和触发器设计,以及在电源管理电路中作为开关元件使用。

替代型号

2N3904, BC547, 2SC1815

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2SC3649T-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)160V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)450mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换120MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)