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2SC3646S-TD-E 发布时间 时间:2025/8/2 8:18:25 查看 阅读:29

2SC3646S-TD-E 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的高频晶体管,属于NPN型双极性晶体管。该晶体管专为高频放大和开关应用而设计,常见于射频(RF)和通信电路中。这款晶体管采用了先进的制造工艺,具有优良的高频特性和稳定性,适用于需要高频性能的电子设备。2SC3646S-TD-E 采用SOT-89封装,体积小巧,便于在紧凑的电路设计中使用。

参数

晶体类型:NPN型双极性晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):150mA
  最大功率耗散(PD):300mW
  频率范围:100MHz至1GHz
  增益(hFE):110至800(根据工作电流不同)
  封装形式:SOT-89

特性

2SC3646S-TD-E 是一款高频晶体管,具备优良的高频放大特性,能够在高达1GHz的频率范围内稳定工作。其增益(hFE)范围较宽,从110到800,这使得它可以根据不同的工作条件灵活调整电路性能。晶体管的集电极-发射极电压(VCEO)为50V,最大集电极电流为150mA,适用于中等功率的高频应用。此外,该晶体管的封装形式为SOT-89,尺寸小巧,便于安装在紧凑的电路板上。
  这款晶体管的热稳定性和电气性能都非常出色,能够在较高的温度条件下保持稳定的工作状态。其低噪声系数和高线性度使得它非常适合用于射频(RF)信号放大器、无线通信模块以及各类高频振荡器和开关电路。此外,2SC3646S-TD-E 的制造工艺保证了其一致性,降低了生产过程中因晶体管参数差异带来的调试难度,提高了电路设计的可靠性和可重复性。

应用

2SC3646S-TD-E 广泛应用于射频(RF)和通信领域的电路设计中。由于其高频特性优良,常用于高频信号放大器、射频接收器和发射器中的前置放大器。此外,该晶体管也适用于无线通信模块、蓝牙设备、Wi-Fi模块、FM收音机调谐电路以及各类传感器电路中的信号处理部分。在数字电路中,它可以作为高速开关使用,适用于脉冲信号放大和处理。由于其SOT-89封装的小型化设计,这款晶体管也非常适合用于便携式电子设备和嵌入式系统中。

替代型号

2SC3646S-TD-E 的替代型号包括2SC3646、2SC3646S-TB-E 和2SC3646S-TD等。

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2SC3646S-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 40mA,400mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换120MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)