时间：2025/8/13 20:10:20
阅读：8
2SC3356LT1 是一种NPN型高频晶体管，广泛应用于射频（RF）和低噪声放大器（LNA）电路中。该晶体管由ON Semiconductor制造，采用小外形晶体管（SOT-23）封装，适合高频应用，具有低噪声系数和高增益特性。2SC3356LT1特别适用于无线通信系统、数据传输设备和各类射频前端电路。
类型：NPN晶体管
封装类型：SOT-23
最大集电极电流（IC）：150 mA
最大集电极-发射极电压（VCE）：15 V
最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
最大功耗：100 mW
最大工作温度：150°C
频率范围：典型工作频率高达1 GHz
增益（hFE）：在10 mA、5 V VCE时为80至600（根据等级不同）
噪声系数：典型值0.8 dB（在1 GHz频率下）
2SC3356LT1是一款专为射频和低噪声放大器应用设计的晶体管。其SOT-23封装形式适合表面贴装技术，有助于减小电路尺寸并提高生产效率。该晶体管具有良好的线性度和低噪声系数，适用于高灵敏度接收器前端电路。其高增益特性使其在低功率射频放大器中表现出色，同时具有较宽的频率响应范围，支持高达1 GHz的应用。此外，2SC3356LT1具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级和商业级电子设备。
2SC3356LT1主要应用于射频接收器、无线通信模块、低噪声放大器（LNA）、高频放大电路、便携式通信设备、无线局域网（WLAN）设备以及各种射频前端电路。它也常用于测试设备和测量仪器中的信号放大。
2SC3356LT1G, 2SC3356-Y, BFR181W, BFQ59, BFR93A
