类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：12V
　　集电极-基极电压（VCBO）：12V
　　发射极-基极电压（VEBO）：3V
　　集电极电流（IC）：50mA
　　功率耗散（Ptot）：150mW
　　直流电流增益（hFE）：最小70，典型值140（测试条件IC=2mA）
　　过渡频率（fT）：7GHz
　　噪声系数（NF）：0.45dB（典型值，f=1GHz，VCE=6V，IC=5mA）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-457（小型表面贴装）
　　极性：NPN
　　增益带宽积：7GHz
　　最大工作频率：高达2GHz应用推荐
　　安装方式：表面贴装

2SC3356L-B-AE3-R具备卓越的低噪声性能，这使其成为射频前端低噪声放大器（LNA）的理想选择。其典型噪声系数仅为0.45dB，在1GHz高频条件下仍能保持极低的噪声水平，显著提升接收系统的灵敏度与信噪比。该特性源于器件内部优化的基区结构与掺杂工艺，有效降低了载流子复合噪声和热噪声。同时，晶体管具有高达7GHz的过渡频率（fT），表明其在高频信号放大方面具有出色响应能力，适用于从数百MHz到2GHz以上的宽频带应用场景。高频增益表现稳定，即使在UHF频段也能维持较高的功率增益，确保信号链路的完整性。
　　该器件的直流电流增益（hFE）具有良好的一致性，典型值达到140，且在小电流工作区间（如IC=2mA）下仍保持较高增益，有助于实现低功耗设计。此外，其最大集电极电流为50mA，结合12V的集电极-发射极电压，可在有限功耗下实现高效放大。器件采用小型表面贴装封装（如SOT-457），体积小巧，有利于高频电路中减少引线电感，提升高频稳定性，并降低电磁干扰（EMI）。
　　2SC3356L-B-AE3-R还具备优良的温度稳定性，工作结温可达+150°C，可在恶劣环境条件下可靠运行。其制造过程遵循严格的品质控制标准，保证批次间参数的一致性，适用于大规模自动化生产。由于其无铅、符合RoHS指令的设计，也满足现代电子产品对环保的严格要求。整体而言，该晶体管在噪声、增益、频率响应和封装尺寸之间实现了良好平衡，是高性能无线通信系统中不可或缺的关键元件。

2SC3356L-B-AE3-R主要用于高频和射频电路中，特别适用于低噪声放大器（LNA）的设计，常见于FM收音机、电视调谐器、无线遥控、蓝牙模块、Wi-Fi射频前端、GPS接收器以及各种便携式无线通信设备。由于其优异的噪声性能和高频响应，该器件常被用于VHF（30MHz-300MHz）和UHF（300MHz-3GHz）频段的信号接收前端，能够有效放大微弱信号的同时引入极低的附加噪声，从而提高整个接收系统的灵敏度。此外，它也可作为射频缓冲放大器或驱动级放大器使用，在无线传感器网络、RFID读写器、ISM频段（如433MHz、915MHz、2.4GHz）设备中发挥重要作用。
　　在移动通信领域，该晶体管可用于手机辅助功能模块、车载通信系统和无线音频传输设备中。其小型封装特性使其非常适合高密度PCB布局，尤其适用于空间受限的消费类电子产品。在测试仪器和射频测量设备中，2SC3356L-B-AE3-R也常被用作高频信号调理单元的核心元件。由于其稳定的工作特性和良好的温度适应性，该器件还可应用于工业控制、安防监控和远程遥测等需要长期稳定运行的场合。总之，凡是对高频性能和低噪声有较高要求的应用场景，2SC3356L-B-AE3-R均能提供可靠的解决方案。

2SC3356, 2SC3838, BFR92A, BFQ67, MMBTH10, 2SC3934