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2SC2814-4-TB-E 发布时间 时间:2025/9/21 0:19:03 查看 阅读:7

2SC2814-4-TB-E是一款由东芝(Toshiba)生产的NPN型硅晶体管,属于通用放大/开关应用的双极结型晶体管(BJT)。该器件采用小型表面贴装封装(如SOT-23或类似的小型化封装),适用于高密度印刷电路板设计,广泛用于便携式电子设备和消费类电子产品中。2SC2814-4-TB-E具有良好的高频响应特性与稳定的直流电流增益(hFE),适合在中低功率条件下进行信号放大或作为电子开关使用。该晶体管经过优化设计,能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定,因此在工业控制、通信模块、电源管理以及各类小型电子系统中都有广泛应用。此外,该型号带有“-TB-E”后缀,通常表示卷带包装(tape and reel),适用于自动化贴片生产流程,提升制造效率。
  该器件的关键优势之一是其较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO),允许在较高电压环境下安全运行。同时,较低的饱和电压(VCE(sat))有助于减少导通损耗,提高能效。由于采用了先进的半导体工艺制造,2SC2814-4-TB-E具备良好的热稳定性和可靠性,符合现代电子产品对小型化、低功耗和高性能的要求。该晶体管符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,满足国际环保法规要求,适合出口型产品设计使用。

参数

类型:NPN
  极性:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极-基极电压(VCBO):70V
  最大发射极-基极电压(VEBO):6V
  最大集电极电流(IC):150mA
  最大集电极功耗(PC):200mW
  直流电流增益(hFE):最小120(典型值250,测试条件IC=2mA)
  过渡频率(fT):200MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23(或类似小型表面贴装封装)

特性

2SC2814-4-TB-E晶体管具备优异的高频性能和稳定的直流参数表现,使其在多种模拟和数字电路中都能发挥出色作用。其高达200MHz的过渡频率(fT)意味着该器件可以在射频前端、音频放大器以及高速开关电路中有效工作,支持信号的快速响应与低失真传输。该晶体管的直流电流增益(hFE)具有较高的最小值(120),并且在不同电流水平下保持较好的一致性,这有助于简化偏置电路设计,提升放大电路的稳定性。此外,在小信号应用中,该器件表现出较低的噪声系数,适合用于前置放大级,尤其是在麦克风放大、传感器信号调理等对信噪比要求较高的场合。
  该晶体管的热稳定性良好,能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作,适应极端环境下的应用需求,如汽车电子、工业自动化设备等。其小型表面贴装封装不仅节省PCB空间,还具有良好的散热性能,通过合理布局可实现高效热传导。此外,器件的饱和压降(VCE(sat))较低,在开关状态下能够显著降低功耗,提升系统整体能效,特别适用于电池供电设备中的开关控制回路,如LED驱动、继电器驱动或逻辑电平转换电路。
  制造工艺方面,2SC2814-4-TB-E采用先进的晶圆加工技术,确保批次间参数一致性高,提升了量产产品的良率和可靠性。其符合RoHS指令要求,无铅焊接兼容,支持现代绿色制造流程。此外,卷带包装形式(-TB-E)便于自动贴片机取料,适用于SMT(表面贴装技术)生产线,大幅提高组装效率,降低人工成本。这些综合特性使2SC2814-4-TB-E成为中小功率晶体管应用中的优选器件之一。

应用

2SC2814-4-TB-E广泛应用于各类消费类电子产品和工业控制系统中。常见用途包括音频信号放大电路,例如在便携式音响、耳机放大器或语音记录设备中作为前置放大级,利用其高增益和低噪声特性提升音质表现。在无线通信模块中,该晶体管可用于小信号放大或混频电路,支持FM收音、蓝牙音频传输或Wi-Fi模块中的射频信号处理。此外,在传感器接口电路中,如温度、光强或压力传感器的信号调理部分,2SC2814-4-TB-E可作为线性放大器将微弱信号增强至ADC可识别的电平范围。
  在数字开关应用方面,该器件常被用作驱动元件,控制LED指示灯、小型继电器或蜂鸣器的工作状态。其150mA的集电极电流能力足以驱动多数低功率负载,而低饱和压降则有助于减少发热,延长使用寿命。在电源管理电路中,它可用于稳压反馈控制或电压检测单元,配合其他元件实现过压保护或待机模式切换功能。此外,该晶体管也适用于玩具电子、智能家居控制器、遥控器、充电器反馈回路等多种嵌入式系统场景。
  由于其小型封装和高可靠性,2SC2814-4-TB-E特别适合空间受限的应用,如智能手机配件、可穿戴设备、物联网终端节点等。在汽车电子领域,可用于车内照明控制、车载传感器信号放大或BCM(车身控制模块)中的逻辑驱动电路。总体而言,该器件凭借其多功能性、稳定性和易用性,在广泛的电子设计中扮演着关键角色。

替代型号

MMBT2222ALT1G
  BC817-25
  2SC3838
  FMMT2222A
  KSC2222AYBU

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2SC2814-4-TB-E参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 晶体管 (BJT)
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • 频率 - 转换320MHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率)3dB @ 100MHz
  • 增益25dB
  • 功率 - 最大150mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)90 @ 1mA,6V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30mA
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-CP
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称869-1103-6