2SC2655是一种NPN型的硅双极结型晶体管(BJT),广泛用于高频和低噪声放大电路中。该晶体管适用于高增益、高频应用场合,例如射频(RF)放大器、混频器以及其他高频信号处理电路。其优良的频率特性和低噪声性能使其成为许多通信设备中的关键元器件。
2SC2655在设计上优化了增益带宽积和热稳定性,确保在高频段工作时仍能保持出色的性能表现。由于其较高的电流增益(hFE)和较低的噪声系数,它特别适合于音频前置放大器、无线通信模块和其他对信号完整性要求较高的场景。
集电极-发射极电压:40V
集电极电流:150mA
功率耗散:380mW
直流电流增益(hFE):100~450
特征频率(fT):1GHz
噪声因子:1.1dB
结电容:0.1pF
封装形式:TO-18
2SC2655具有以下显著特性:
1. 高频响应:其特征频率(fT)高达1GHz,能够支持高频信号放大需求。
2. 低噪声性能:噪声因子仅为1.1dB,适用于需要低噪声放大的应用环境。
3. 较高的电流增益:直流电流增益范围为100到450,使得该晶体管能够在多种负载条件下提供稳定的放大效果。
4. 热稳定性:即使在高频或大信号输入的情况下,也能保持良好的温度稳定性。
5. 小型封装:采用TO-18封装,便于安装和集成到紧凑型电路中。
2SC2655主要应用于以下领域:
1. 射频(RF)放大器:利用其高频特性和低噪声性能,在无线通信系统中作为前置放大器。
2. 混频器:在无线电接收机中用作混频晶体管,以实现频率转换功能。
3. 音频放大器:凭借其高增益特性,可用于构建高性能音频前置放大器。
4. 调制解调器:在数据传输设备中充当信号放大部分的核心元件。
5. 其他高频信号处理电路:如振荡器、倍频器等,满足特定应用场景下的信号增强需求。
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