类型：NPN型晶体管
　　封装类型：TO-92
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2SC2396D晶体管以其优异的高频性能著称，特别适合用于射频和中频放大器的设计。其NPN结构和高频fT特性使得该器件在100MHz范围内表现出色，能够提供稳定的增益和低噪声性能。晶体管的TO-92封装不仅节省空间，还便于散热，适用于各种小型化电子设备。
　　此外，2SC2396D具有较高的电流增益（hFE），其值可根据不同等级在110至800之间变化，这使得它在需要高增益放大的电路中表现优异。同时，其最大集电极电流为100mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30V，使其能够承受较高的电压应力，适用于多种电源条件下的应用。
　　该晶体管还具有良好的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境条件。由于其低功耗特性（最大功耗为300mW），2SC2396D适用于电池供电设备和便携式电子产品，确保了设备的长时间稳定运行。

2SC2396D晶体管广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大电路，尤其在通信系统、无线模块、音频放大器和测试设备中表现出色。它还可用于低噪声前置放大器、高频振荡器以及各类消费电子和工业控制设备中的信号放大和处理电路。

2SC1815, 2SC945, BC547, 2N3904