类型：PNP BJT
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：30 V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：40 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5 V
　　最大集电极电流（IC）：2 A
　　最大总耗散功率（PD）：800 mW
　　直流电流增益（hFE）：70 至 400（典型值，测试条件IC = 500mA）
　　过渡频率（fT）：150 MHz
　　饱和电压（VCE(sat)）：≤ 0.3 V（在IC = 500mA, IB = 50mA条件下）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-126

2SB852K具备优异的电气性能和热稳定性，其核心特性之一是较高的直流电流增益（hFE），可在70至400之间变化，确保在不同工作条件下都能实现良好的信号放大能力。这种宽范围的增益使其适用于多种偏置配置，并能适应批量生产中的器件差异。
　　该晶体管具有较低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），通常在0.3V以下（当IC=500mA时），这意味着在开关模式下功耗更低，有利于提高电源效率并减少发热问题，特别适合用于脉冲宽度调制（PWM）控制或高频切换场合。
　　2SB852K的最大集电极电流可达2A，支持中等功率负载的直接驱动，例如小型电机、电磁阀或继电器线圈，无需额外增加驱动级即可完成控制任务。
　　其集电极-发射极击穿电压为30V，允许在常见的12V或24V系统中安全运行，覆盖大多数工业与汽车电子应用需求。同时，该器件的过渡频率达到150MHz，表明其具备一定的高频响应能力，可用于中频放大电路或高速开关应用，尽管主要定位仍是通用用途而非射频领域。
　　采用TO-126封装形式，提供了良好的散热性能和机械固定能力，可通过安装散热片进一步提升功率处理能力。该封装也便于手工焊接和自动贴装，兼容主流PCB制造工艺。
　　此外，2SB852K的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，能够在极端环境温度下保持稳定工作，增强了其在户外设备、工业控制系统及车载电子中的适用性。整体来看，这款晶体管结合了性能、可靠性与成本效益，是一款理想的通用型PNP三极管。

2SB852K广泛应用于各类电子电路中，尤其适合作为中等功率开关或信号放大元件。常见应用包括电源稳压电路中的串联调整管，配合误差放大器实现电压调节功能，适用于线性稳压器设计。
　　在继电器或电磁阀驱动电路中，2SB852K能够直接由微控制器GPIO引脚通过限流电阻驱动，控制较大电流负载的通断，常用于自动化控制系统、家电主板及工业PLC模块中。
　　该器件也可用于LED驱动电路，特别是在需要恒流控制或多路切换的应用中，凭借其低饱和压降特性可有效减少能量损耗，提升系统效率。
　　在音频放大器前端或末级推动级中，2SB852K可用于构建共发射极放大结构，提供足够的电流增益以驱动后续扬声器负载，虽然不常作为主功率输出管使用，但在小功率音响系统中有一定应用价值。
　　此外，它还被用于DC-DC转换器、电池充电管理模块及逆变器控制电路中，作为辅助开关管参与能量传递过程。
　　由于其参数特性与2SD1852等NPN型号相匹配，常组成达林顿对管或互补对称输出级，用于推挽式功率放大或H桥驱动电路，提升整体输出能力和动态响应。
　　在消费类电子产品如电视、音响、空调控制板中，2SB852K因其高可靠性和低成本而被广泛采用，同时也是维修替换市场中的常用型号。