类型：P沟道
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：-150mA
　　功率耗散（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件：IC = -2mA, VCE = -6V）
　　饱和电压（VCE(sat)）：-0.25V（典型值，IC = -100mA, IB = -10mA）
　　过渡频率（fT）：80MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-457（小型表面贴装）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：4（包括散热焊盘或检测引脚）
　　极性：PNP
　　最大存储温度范围：-55°C 至 +150°C

2SB824L-Q-AB3-R具备出色的直流电流增益（hFE）范围，典型值为70至700，在小信号放大应用中表现出良好的线性度和稳定性。这种宽泛的增益范围使其能够适应多种电路配置，尤其适合用于音频前置放大器、信号调理电路以及低功耗驱动电路中。器件的高增益特性减少了对多级放大的依赖，有助于简化电路设计并提高整体可靠性。
　　该晶体管具有较低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），在典型工作条件下可低至-0.25V，这意味着在作为开关使用时能有效降低导通损耗，提升系统能效。这对于电池供电设备或需要节能设计的应用尤为重要。同时，低饱和电压也有助于减少热积累，从而增强长期运行的稳定性。
　　该器件采用符合AEC-Q101标准的汽车级制造工艺，具备优异的抗温度冲击、湿度和机械振动能力，适用于车载信息娱乐系统、车灯控制模块、电动门窗驱动等汽车电子场景。其工作结温范围可达-55°C至+150°C，确保在极端气候条件下仍能可靠工作。
　　SOT-457小型封装不仅节省PCB空间，还优化了热传导路径，提升了功率密度。此外，卷带包装（-R）支持高速自动化贴片生产，提高了制造效率，降低了组装成本。该器件还具有较低的寄生电容和较高的过渡频率（fT=80MHz），可在高频开关场合中保持良好响应，适用于高达几十兆赫兹的信号切换任务。
　　2SB824L-Q-AB3-R的另一个显著优势是其严格的批次一致性控制，确保在批量采购和生产过程中参数波动小，提升了产品良率和设计复用性。同时，Rohm提供完整的技术支持文档，包括SPICE模型、热阻数据和可靠性测试报告，便于工程师进行仿真和系统验证。

2SB824L-Q-AB3-R广泛应用于需要小型化、高可靠性和良好开关性能的电子系统中。在消费类电子产品中，常用于LCD背光驱动、便携式音频设备中的信号切换、USB电源开关控制以及微控制器I/O扩展电路。其低导通压降和高增益特性使其成为电池管理单元中理想的负载开关元件。
　　在工业控制领域，该器件可用于继电器驱动、传感器信号调理、逻辑电平转换和PLC输入/输出模块中的缓冲放大。由于其具备一定的耐压能力和温度稳定性，可在工业环境中长期稳定运行。
　　在汽车电子方面，得益于AEC-Q101认证，2SB824L-Q-AB3-R被广泛用于车身控制模块（BCM）、车内照明调光、雨刷电机控制、HVAC风门驱动电路以及车载充电器中的电源管理部分。其耐高温特性和抗干扰能力满足了汽车行业对元器件严苛的品质要求。
　　此外，在通信设备和物联网终端中，该晶体管可用于RF信号通断控制、天线切换开关或低噪声前置放大电路。其80MHz的过渡频率使其能够胜任部分高频模拟信号处理任务。
　　在电源管理设计中，该器件常与N沟道MOSFET配合构成电平移位电路，用于高端驱动或反向极性保护。其快速开关能力和低漏电流也使其适用于待机电源控制和节能模式下的负载切断功能。

MMBT3906, BC807-40, FMMT718, DXT3906, KSA708