类型：P沟道
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：-50V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：-50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：-5V
　　集电极最大持续电流（IC）：-100mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件：IC = -2mA, VCE = -6V）
　　增益带宽积（fT）：不适用（低频应用为主）
　　饱和电压（VCE(sat)）：典型值 -0.1V（IC = -50mA, IB = -5mA）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SB817E具备多项关键特性，使其在众多同类P沟道晶体管中脱颖而出。首先，其高直流电流增益（hFE）范围为70至700，在不同工作条件下均能保持良好的放大能力，这使得它在小信号放大和开关应用中都能提供稳定的性能表现。该器件的高增益特性有助于减少驱动电流需求，从而降低整体功耗，特别适合电池供电设备的应用场景。其次，2SB817E具有较低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)），典型值仅为-0.1V，在导通状态下能够显著减少能量损耗，提高系统的能效水平。这一特性对于需要频繁开关操作的数字逻辑电路和电源控制模块尤为重要，有助于提升响应速度并减少发热问题。
　　该晶体管采用SOT-23封装，尺寸紧凑，仅为2.9mm x 1.3mm x 1.0mm左右，非常适合高密度PCB布局和自动化贴片生产流程。SOT-23封装不仅有利于节省宝贵的电路板空间，还具备良好的散热性能，通过引脚直接传导热量到PCB，增强长期工作的稳定性。此外，2SB817E的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，使其能够在极端环境条件下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的领域。
　　另一个重要特性是其良好的互换性和兼容性。2SB817E与其他主流厂商的类似型号（如BC857系列）引脚兼容，便于设计替换和供应链管理。同时，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置寿命试验（HTRB）、温度循环和湿度敏感度等级评估，确保在各种应用场景下长期稳定运行。最后，作为符合RoHS指令的绿色环保产品，2SB817E不含铅、镉、汞等有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代电子制造的环保趋势。这些综合特性使2SB817E成为高性能、低成本、高可靠性的理想选择。

2SB817E广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要小型化、低功耗和高可靠性的场合。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，常用于LED背光驱动、电源开关控制、电池充放电管理电路中的信号切换功能。由于其低饱和压降和高增益特性，能够有效延长电池续航时间并提升系统效率。在电源管理系统中，2SB817E可用于低压差稳压器（LDO）的使能控制、负载开关或过流保护电路中的检测与切断机制，实现精确的电源分配与节能管理。
　　在工业控制领域，该晶体管可用于继电器驱动、传感器接口电路、逻辑电平转换器以及微控制器I/O扩展电路中，作为电平反相或信号缓冲元件。其宽工作温度范围和高稳定性保证了在恶劣工业环境下的长期可靠运行。此外，在通信设备、家用电器（如电视、音响、空调控制面板）以及办公自动化设备（打印机、扫描仪）中，2SB817E也常被用作小信号开关或状态指示灯控制元件。
　　由于其P沟道结构，2SB817E特别适合用于高边开关配置，即负载连接在地端而晶体管控制正电源通断的拓扑结构。这种应用常见于需要关闭整个子系统的电源以实现待机模式或节能状态的设计中。此外，2SB817E还可与NPN晶体管（如2SC1815）组成互补对称推挽输出级，用于音频放大、电机驱动或数字信号整形等模拟/混合信号电路中，充分发挥其匹配性优势。总之，凭借其多功能性和高度集成性，2SB817E已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

MMBT3906, BC857B, FMMT718, KST3906, DXT3906