型号：2SB817C
　　类型：P沟道晶体管
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：-50V
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：-50V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：-5V
　　最大集电极电流（IC）：-1.5A
　　最大总耗散功率（PD）：1W（@Tc=25°C）
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件IC=-150mA, VCE=-2V）
　　过渡频率（fT）：>=100MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

2SB817C具备出色的开关特性，适合高频开关应用。其高电流增益范围（70～700）意味着在不同的工作条件下都能保持良好的放大性能，尤其适用于需要动态调节增益的模拟电路或数字开关电路。这种宽泛的hFE范围允许设计者在不更换器件的情况下适应不同的负载需求。该晶体管的饱和压降非常低，在集电极电流为-1.5A时，典型的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）仅为-0.3V，这显著降低了导通损耗，提高了整体能效，特别适合电池供电设备以延长续航时间。
　　另一个重要特性是其良好的热稳定性。SOT-223封装不仅体积小，还集成了一个金属散热片，可以直接焊接至PCB上的大面积铜箔进行散热，从而有效降低热阻，提升功率处理能力。这使得2SB817C在持续大电流工作状态下仍能维持较低的结温，避免因过热导致的性能下降或器件损坏。此外，该器件具有较强的抗静电能力和可靠性，经过严格的质量控制流程生产，符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。
　　2SB817C的频率响应表现良好，过渡频率fT大于等于100MHz，使其不仅可用于低频开关，还能胜任中高频信号放大任务。例如，在音频前置放大器或射频控制电路中，它可以提供足够的带宽支持。同时，其较小的寄生电容和快速的开关响应时间有助于减少信号失真和延迟，提升系统响应速度。这些综合特性使2SB817C成为工业自动化、汽车电子、家用电器和通信设备中理想的功率开关元件。

2SB817C广泛应用于各类需要中等功率控制的电子系统中。典型应用场景包括DC-DC转换器中的开关元件，用于实现电压升降压功能；在电源管理系统中作为负载开关或稳压电路的一部分，控制电源通断以节省能耗；在继电器或电磁阀驱动电路中，作为驱动三极管来放大控制信号，确保足够的驱动电流激活负载设备。
　　此外，该器件也常用于LED照明驱动电路，特别是在恒流源或调光控制中，利用其线性放大特性精确控制LED亮度。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家电中，2SB817C可用于背光控制、电机驱动或接口电平转换等场合。在工业控制领域，它可作为PLC模块中的信号隔离与驱动元件，提高系统的抗干扰能力。
　　由于其表面贴装封装形式，2SB817C非常适合自动化贴片生产线，有利于提高生产效率和产品一致性。同时，其高可靠性和宽工作温度范围使其能在恶劣环境下稳定运行，适用于车载电子设备、户外监控系统等对环境适应性要求较高的应用。总之，2SB817C凭借其多功能性和高性价比，在现代电子设计中占据重要地位。

2SB817,TTC02028