时间：2025/6/5 14:01:53
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2SB649AL-C-T6C-K 是一款双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），主要用于功率放大和开关应用。该型号属于东芝（Toshiba）生产的达林顿晶体管系列，具有高增益特性，适用于需要大电流驱动的场景。其设计能够承受较高的集电极-发射极电压，并提供较大的电流处理能力。
类型：NPN
集电极-发射极电压（Vce）：80V
集电极最大电流（Ic）：1.5A
直流电流增益（hFE）：10000（最小值）
功耗（Ptot）：20W
封装形式：TO-225AC
2SB649AL-C-T6C-K 晶体管采用了达林顿结构，显著提升了其电流增益性能，使其非常适合于低输入信号强度但需要高输出电流的应用场景。
它具备较高的击穿电压（80V），因此在高压环境下的表现依然稳定。
此外，由于其封装形式为 TO-225AC，这使得该器件具有良好的散热性能，可以支持更高的功率操作。
其典型应用场景包括继电器驱动、电机控制、电源管理以及各类工业电子设备中的功率放大功能。
该晶体管广泛应用于各种工业和消费类电子产品中，例如家用电器的电机控制电路、汽车电子系统的负载切换模块、打印机和扫描仪等办公设备中的电磁阀驱动电路，以及LED照明系统的恒流控制方案。
同时，它也适用于一些需要高可靠性和大电流处理能力的场合，如工业自动化设备中的开关电路和通信设备中的功率放大器部分。
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2SB1086
BDT58R
