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2SB315B-2MBI800U4G-120 发布时间 时间:2025/8/6 23:17:17 查看 阅读:27

2SB315B-2MBI800U4G-120是一种双极型晶体管模块,属于功率电子器件。该器件是专为高功率应用设计的,通常用于逆变器、电机控制和电源系统中。模块内部集成了多个晶体管单元,提高了整体的电流承载能力和可靠性。2SB315B-2MBI800U4G-120采用了先进的封装技术,确保了在高功率密度下的稳定工作。

参数

晶体管类型:PNP双极型晶体管
  最大集电极电流:800A
  最大集电极-发射极电压:1200V
  最大功耗:200W
  封装类型:模块封装
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  电流增益(hFE):10000
  过渡频率:150kHz

特性

2SB315B-2MBI800U4G-120具有出色的电气性能和热稳定性,能够在高功率环境下长时间工作。其高电流增益确保了在低基极电流下的高效工作,从而减少了驱动电路的负担。该晶体管模块还具有良好的短路耐受能力,使其适用于需要频繁开关的高功率应用。此外,模块的封装设计提供了良好的散热性能,减少了外部散热器的需求。其工作温度范围广泛,使其能够在极端环境条件下正常工作。该器件还具有较低的饱和压降,减少了能量损耗,提高了整体系统的效率。此外,模块的封装设计还提供了良好的机械强度和抗振动能力,延长了器件的使用寿命。

应用

2SB315B-2MBI800U4G-120常用于电力电子系统,如变频器、逆变器和直流电机驱动器。其高功率特性和可靠性使其非常适合用于工业自动化设备、电动汽车驱动系统和可再生能源系统。在电力转换系统中,该模块可以用于功率放大和开关控制。此外,它还可以用于高功率电源系统,如不间断电源(UPS)和工业电源设备。

替代型号

2SB315B-2MBI800U4G-120

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2SB315B-2MBI800U4G-120参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SCALE?-1
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型单路
  • 驱动器数2
  • 栅极类型IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电0V ~ 16V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)-
  • 输入类型-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块