类型：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-2.8A
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：-8.4A
　　导通电阻Rds(on)：35mΩ（典型值，Vgs=-4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：330pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：180pF（典型值）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（典型值）
　　功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

2SB1695KT146具备优异的导通性能和快速开关响应能力，其核心优势之一是低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=-4.5V条件下典型值仅为35mΩ，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。该特性特别适合用于电池供电设备，有助于延长续航时间。同时，低Rds(on)也意味着在相同电流下产生的热量更少，有利于提高系统的热稳定性和长期可靠性。
　　该器件采用先进的沟槽栅极结构设计，不仅增强了载流子迁移率，还有效降低了栅极电荷（Qg）和反向传输电容（Crss），从而实现了更快的开关速度和更低的开关损耗。这对于高频开关电源应用尤为重要，能够支持更高的工作频率，减小外围滤波元件的尺寸，进而实现更高密度的电源模块设计。
　　2SB1695KT146具有良好的热性能，其封装结构具备较低的热阻，能够在持续高负载条件下有效散热。结合宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），使其可在严苛环境温度下稳定运行，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗静电放电（ESD）能力和一定的抗雪崩能量承受能力，增强了器件在实际使用中的鲁棒性。其栅氧化层经过优化设计，可耐受±12V的栅源电压，避免因驱动信号波动导致的器件损坏。整体而言，2SB1695KT146是一款集高性能、高可靠性和小型化于一体的P沟道MOSFET，非常适合对空间和效率有严格要求的应用场合。

2SB1695KT146广泛应用于各类中低功率电源管理系统中，尤其适用于需要高效开关操作的小型化电子设备。常见应用包括便携式消费电子产品中的DC-DC降压或升压转换器，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和其他移动终端设备的电源管理模块。在这些应用中，该器件常被用作同步整流开关或负载开关，以提高转换效率并降低静态功耗。
　　在电池供电系统中，2SB1695KT146可用于电池充放电控制电路，作为反向电流阻断开关或电源路径管理开关，确保系统在不同供电模式间平滑切换。其低导通电阻特性有助于减少电压降和发热，提升能源利用率。
　　该器件也适用于各种工业控制电路中的继电器替代方案，即固态开关应用，用于控制小功率负载的通断，具备无触点、无噪音、寿命长等优点。此外，在通信设备的电源模块、LED驱动电路以及传感器供电管理单元中也有广泛应用。
　　由于其具备一定的高温工作能力，2SB1695KT146还可用于部分车载电子辅助系统，如车载信息娱乐设备的电源调节、车内照明控制等非主驱类低压电源应用。总体来看，其主要定位是中低端电压、中小电流的高效开关场景，尤其适合对体积敏感且追求高能效的嵌入式系统设计。

2SB1692, 2SJ355, AO3415, FDN360P