型号：2SB1690K
　　类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.2A
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（@ Vgs = -10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：52mΩ（@ Vgs = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：860pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：280pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：2W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

2SB1690K具备出色的导通特性和开关性能，其核心优势之一是低导通电阻（Rds(on)），在Vgs = -10V时仅为45mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统能效。该特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以延长电池使用寿命并减少发热问题。同时，在Vgs = -4.5V的较低驱动电压下，Rds(on)仍保持在52mΩ左右，说明该器件在低压逻辑控制环境下也能有效工作，兼容3.3V或5V微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
　　该器件采用先进的沟道设计与制造工艺，优化了载流子迁移路径，提升了电流处理能力与热传导效率。其最大连续漏极电流可达-4.2A，脉冲电流高达-12A，表明其在短时高负载工况下具备较强的承载能力，适用于电机启动、电源浪涌等瞬态大电流应用场景。此外，输入电容Ciss为860pF，输出电容Coss为280pF，相对较低的寄生电容有助于提高开关速度，减少开关过程中的能量损耗，从而提升高频工作的效率。
　　2SB1690K还具备良好的热稳定性和可靠性，最大功耗为2W，结合合理的PCB布局和散热设计，可在高温环境下稳定运行。其工作结温范围从-55°C到+150°C，适应严苛的工业和车载环境。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，能够在感性负载切换时提供续流路径，保护主开关元件。整体来看，2SB1690K是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于多种中低电压功率开关应用。

2SB1690K常用于各类直流电源管理系统中，特别是在同步整流型DC-DC转换器中作为高端或低端开关使用，能够有效提升转换效率并降低温升。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源模块中，该器件可用于电池充放电控制、负载开关以及电压调节电路，凭借其低导通电阻和快速响应特性，确保电源路径的高效与安全。此外，在电机驱动电路中，2SB1690K可作为H桥结构中的P沟道侧开关，用于小型直流电机的方向控制与调速，尤其适用于玩具、家用电器和自动化设备中的微型电机驱动方案。
　　在工业控制领域，该器件适用于PLC输入输出模块、继电器驱动电路以及传感器供电开关，实现对负载的精确通断控制。由于其具备较高的抗干扰能力和稳定性，也可用于通信设备的电源隔离与冗余切换电路中。在汽车电子系统中，2SB1690K可用于车身控制模块（BCM）、车灯控制、风扇驱动及车载充电器等低压电源管理单元，满足汽车行业对元器件可靠性与耐久性的严格要求。此外，该器件还可应用于LED驱动电源、USB电源开关、热插拔控制器以及各种过流保护电路中，展现出广泛的适用性与良好的系统集成能力。

AON7410, SI2301, FDS6670A, TSM2301C, DMG2301U