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2SB1689T106 发布时间 时间:2025/5/15 12:35:20 查看 阅读:21

2SB1689T106是一种双极性晶体管(Bipolar Transistor),属于NPN型硅晶体管。该晶体管主要用于高频和高速开关应用,广泛应用于射频放大器、混频器以及振荡电路中。其设计旨在提供高增益和低噪声特性,同时具有良好的频率响应和热稳定性。

参数

集电极-发射极电压:45V
  集电极电流:1A
  直流电流增益(hFE):最小值70,典型值200
  特征频率(fT):700MHz
  热阻(Rth):150℃/W
  功耗:1.5W

特性

2SB1689T106晶体管具有高频率响应能力,非常适合用于高频信号处理。其低噪声特性和较高的增益使得它成为射频电路中的理想选择。此外,该器件在宽温度范围内表现出稳定的性能,能够在-55℃至+150℃的工作温度区间内可靠运行。
  由于采用了先进的封装技术,2SB1689T106具备优良的散热性能,从而延长了使用寿命并提高了系统可靠性。这种晶体管还具有较低的饱和电压,进一步提升了效率和性能表现。

应用

该晶体管主要应用于射频通信设备、无线传输模块、雷达系统、音频放大器以及其他需要高频和高增益特性的电子电路中。此外,在一些精密仪器和工业控制领域,2SB1689T106也被用作关键元件以实现稳定且高效的信号处理功能。

替代型号

2SC3358, MRF471

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2SB1689T106参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)200mV @ 25mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)270 @ 200mA,2V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换400MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SB1689T106-ND2SB1689T106TR