类型：PNP
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：-50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：-5V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：-50V
　　最大集电极电流（IC）：-150mA
　　最大功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 至 400（典型值，取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：约80MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2SB1655具备一系列优良的电气和物理特性，使其成为众多低功率模拟与数字电路设计中的理想选择。首先，该晶体管采用了成熟的硅平面技术制造，确保了器件的一致性、长期稳定性和高温下的可靠性。其PNP结构允许在负电源系统或互补配置中有效工作，尤其适合与NPN晶体管配对使用以构建推挽输出级或差分放大器。在直流性能方面，2SB1655提供了宽范围的直流电流增益（hFE），典型值在70至400之间，具体数值取决于集电极电流的工作点，这使得设计者可以根据不同的增益需求灵活选择器件批次或进行电路补偿。
　　该晶体管的击穿电压指标表现良好，集电极-发射极之间的耐压达到-50V，能够满足大多数低压电源系统的应用要求，例如在12V或24V控制系统中安全运行。同时，最大集电极电流为-150mA，足以驱动小型继电器、指示灯或其他低功耗外围设备。虽然其功率耗散能力有限（最大200mW），但由于采用小型塑料封装，热阻相对较高，因此在高环境温度下需注意散热设计，必要时应降低工作电流以防止过热损坏。
　　频率响应方面，2SB1655的过渡频率（fT）约为80MHz，意味着它可以在数百千赫兹至几兆赫兹的频率范围内实现有效的信号放大，适用于音频放大、脉冲整形和低速数字开关等应用。此外，该器件具有较低的饱和压降，在充分导通状态下集电极-发射极电压（VCE(sat)）可低至-0.1V至-0.3V（在指定电流下），有助于减少开关损耗并提高能效。
　　另一个重要特性是其良好的温度稳定性，工作结温可达+150°C，存储温度范围也较宽，适用于工业级应用环境。综上所述，2SB1655以其均衡的性能参数、可靠的制造质量和广泛的可用性，成为电子工程师在开发通用放大和开关电路时的常用选型之一。

2SB1655广泛应用于多种电子电路中，主要集中在低功率信号放大与开关控制领域。在音频放大电路中，它常被用作前置放大器或驱动级晶体管，利用其较高的电流增益实现微弱信号的放大，适用于收音机、对讲机、小型扩音设备等消费类电子产品。由于其具备良好的线性特性和适中的频率响应能力，能够在几百赫兹至数十千赫兹的音频范围内保持较低的失真度，从而提供清晰的声音输出。
　　在数字逻辑和开关电路中，2SB1655常用于将微控制器或逻辑门输出的低电平信号转换为对负载的有效控制。例如，在单片机系统中，当需要驱动一个工作电压高于IO口电平的负载（如12V继电器或LED阵列）时，可以使用2SB1655作为反相开关元件，通过基极限流电阻接收来自MCU的低电平触发信号，从而导通并使负载接地形成回路。这种配置不仅实现了电平转换，还起到了电气隔离的作用，保护主控芯片免受外部干扰或反电动势的影响。
　　此外，该晶体管也常见于电源管理电路中，如稳压器、恒流源或电池充电指示电路。在这些应用中，2SB1655可与其他元件（如齐纳二极管、运算放大器或电阻网络）配合，构成反馈控制回路，调节输出电压或电流。例如，在简单的串联稳压电源中，它可以作为调整管使用，根据参考电压的变化动态调节压降以维持输出稳定。
　　在传感器接口电路中，2SB1655也可用于信号调理，将传感器输出的小信号进行初步放大或整形后再送入后续处理单元。由于其工作温度范围宽，可在恶劣环境中稳定运行，因此也被用于工业自动化设备、汽车电子模块和家用电器控制板中。总之，凭借其通用性强、成本低、易于使用的优点，2SB1655在各类嵌入式系统和模拟电路设计中持续发挥着重要作用。

2SB1654
　　2SB1656
　　KSP2907A
　　BC557B