类型：PNP
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：80V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：80V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　额定集电极电流（IC）：3A
　　峰值集电极电流（ICM）：3A
　　总功耗（PC）：1.25W @ 25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　直流电流增益（hFE）：40 - 320 @ IC = 1.5A, VCE = 2V
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：≤ 0.25V @ IC = 1.5A, IB = 150mA
　　集电极截止电流（ICEO）：≤ 1mA @ VCE = 80V

2SB1566晶体管具备优异的电气特性和热稳定性，能够在高电压和大电流条件下可靠运行。其最大集电极-发射极电压为80V，允许在多种电源电压系统中使用，包括常见的12V、24V甚至48V工业控制系统。额定集电极电流可达3A，使其能够直接驱动中等功率负载，如小型继电器、直流电机或LED阵列，而无需额外的驱动级电路，简化了整体设计复杂度。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围宽广，从40到320不等，具体数值取决于工作电流条件，这一特性确保了在不同负载条件下仍能维持良好的放大能力和开关效率。高增益意味着较小的基极驱动电流即可控制较大的集电极电流，有助于降低前级驱动电路的负担，提高系统能效。
　　2SB1566的集电极-发射极饱和电压非常低，在IC = 1.5A且IB = 150mA时不超过0.25V，这意味着在导通状态下功耗极小，减少了发热问题，提升了整体系统的能量利用率。这对于长时间运行的应用尤为重要，例如不间断电源、自动化控制设备等。
　　其过渡频率（fT）高达100MHz，表明该晶体管不仅适用于低频开关和放大应用，也能在较高频率下正常工作，拓展了其在高频信号处理领域的适用范围。尽管主要定位为中功率通用晶体管，但在某些射频或高速开关场合也可作为备选方案。
　　采用TO-126封装形式，提供了良好的机械强度和散热性能。该封装支持引脚插入式安装，并可通过背面金属板连接散热器，有效将内部产生的热量传导至外部环境，防止因温升过高而导致性能下降或损坏。同时，该封装符合多项国际安全与环保标准，适用于无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造要求。

2SB1566广泛应用于各类中等功率电子系统中，尤其适合作为开关元件或线性放大器使用。在电源电路中，它可用于稳压器、DC-DC转换器或电池充电管理模块中，实现对输出电压的调节与保护功能。其高耐压和大电流能力使其能够应对突发的电流冲击，保障系统安全运行。
　　在工业控制领域，该晶体管常用于驱动继电器、电磁阀、小型直流电机或步进电机的控制电路中。通过微控制器或其他逻辑电路提供的基极信号，可以精确控制这些执行机构的动作时序与状态，广泛应用于自动化生产线、楼宇自控系统及家用电器中。
　　消费类电子产品也是2SB1566的重要应用方向之一。例如，在音响设备中，它可以作为音频前置放大器或功率输出级的一部分，处理模拟音频信号并推动扬声器发声。虽然不是专为音频优化的器件，但其良好的线性度和频率响应足以胜任一般音质要求的应用场景。
　　此外，该晶体管还可用于各种信号隔离与电平转换电路中，实现不同电压域之间的接口匹配。例如，在单片机控制系统中，当需要将3.3V或5V逻辑信号转换为更高电压等级以驱动外部设备时，2SB1566可作为一个简单而可靠的电平移位器使用。
　　由于其具备较强的环境适应能力，工作温度范围宽达-55°C至+150°C，因此也适用于一些恶劣环境下的应用，如汽车电子、户外监控设备或工业传感器节点中，确保在极端温度条件下依然稳定工作。

2SB1576
　　KSC2386
　　2N2907A
　　BC327
　　MJE243