类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.8A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-14A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（@VGS=-2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：570pF（@VDS=-10V）
　　输出电容（Coss）：170pF（@VDS=-10V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@VDS=-10V）
　　栅极电荷（Qg）：9.8nC（@VGS=-10V）
　　功耗（PD）：1.5W（@Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（含裸焊盘）

2SB1260L-Q-AB3-R采用罗姆专有的Trench MOSFET技术，实现了极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=-4.5V条件下仅为22mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。这一特性特别适用于大电流负载切换和电池供电设备中的电源管理模块。低RDS(on)还意味着更小的发热，有助于简化散热设计，提升产品长期运行的可靠性。
　　该器件具有良好的热稳定性，其内部结构经过优化，确保在高温工作环境下仍能维持稳定的电气性能。结合高达150°C的最大结温，使得它可以在恶劣环境如封闭空间或高环境温度条件下安全运行。此外，较低的栅极电荷（Qg=9.8nC）和输入电容（Ciss=570pF）使其易于被微控制器或其他逻辑信号直接驱动，无需额外的驱动芯片即可实现快速开关操作，从而简化了外围电路设计。
　　2SB1260L-Q-AB3-R具备出色的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了器件在瞬态过压和浪涌情况下的鲁棒性。这对于防止因意外电压尖峰导致的器件损坏至关重要，尤其是在电机驱动、继电器控制等感性负载应用中。
　　该MOSFET支持快速开关响应，反向传输电容（Crss）仅为40pF，有效抑制了米勒效应引起的误触发问题，提升了高频开关应用中的稳定性。同时，其阈值电压范围合理（-1.0V至-2.0V），可在低电压逻辑电平下可靠关断与开启，适用于3.3V或5V系统控制。
　　封装方面，采用SOP-8带裸焊盘形式，不仅节省PCB空间，而且通过底部散热焊盘可有效将热量传导至PCB地层，增强散热能力。整体设计兼顾高性能与小型化需求，非常适合现代高密度电子产品使用。

2SB1260L-Q-AB3-R广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式电池供电设备中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，在这些设备中用于控制不同功能模块的上电时序和节能管理。
　　在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC转换器的同步整流部分，尤其是降压（Buck）变换器中作为低端开关使用，利用其低导通电阻减少能量损耗，提高转换效率。
　　此外，它也常用于电机驱动电路、继电器驱动、LED驱动电源以及各类工业控制板卡中的功率切换节点。由于其具备较强的电流承载能力和良好的热性能，也可作为热插拔电路或冗余电源切换中的主控开关元件。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理单元以及车用传感器供电控制等非动力总成系统中，满足AEC-Q101相关可靠性要求的部分应用场景。
　　由于其表面贴装封装形式，非常适配自动化贴片生产线，因此在大批量消费类电子产品制造中具有明显优势。同时，其稳定的电气特性和宽泛的工作温度范围，也使其成为工业级和商业级设备中理想的功率开关选择。

2SB1260L-QB3-T1
　　2SB1260L-QB3-E