2SB1240TV2R 时间：2025/12/25 13:00:30 阅读：10

2SB1240TV2R是一款由东芝（Toshiba）生产的P沟道MOS场效应晶体管（MOSFET），专为高频开关应用和电源管理电路设计。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似的小型化封装），适用于需要高效率、低功耗和紧凑布局的便携式电子设备。2SB1240TV2R在设计上优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，使其能够在低电压控制信号下实现快速开关动作，同时保持较低的传导损耗。该MOSFET常用于负载开关、DC-DC转换器、电池供电系统以及各种需要精确功率控制的嵌入式应用中。由于其良好的热稳定性和可靠性，2SB1240TV2R也广泛应用于工业控制、通信模块和消费类电子产品中。器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合现代自动化贴片生产线使用。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　极性：P-Channel
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-2.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-8.4A
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：60mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：330pF @ VDS = -10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS = -10V
　　输出电容（Coss）：270pF @ VDS = -10V
　　栅极电荷（Qg）：7.2nC @ VGS = -4.5V
　　功率耗散（Ptot）：1W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

2SB1240TV2R具备多项优异的电气与物理特性，使其成为许多低电压功率开关应用中的理想选择。首先，其P沟道结构允许在电源负端进行高效控制，特别适用于高边开关配置，在电池管理系统和电源路径控制中表现出色。该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），在-4.5V栅压下仅为45mΩ，这意味着在大电流通过时产生的热量更少，从而提高了整体系统的能效并减少了散热需求。即使在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下，其导通电阻仍可维持在60mΩ以内，显示出良好的低压驱动能力，适用于由3.3V或更低逻辑电平直接驱动的应用场景。
　　其次，2SB1240TV2R拥有出色的开关性能。其输入电容（Ciss）为330pF，栅极电荷（Qg）仅为7.2nC，这使得器件能够以极快的速度完成开关动作，减少开关过程中的能量损耗，尤其适合高频工作的DC-DC变换器和同步整流电路。低反向传输电容（Crss = 50pF）也有助于降低米勒效应的影响，提升器件在高速切换下的稳定性与抗干扰能力。此外，该MOSFET的阈值电压范围合理（-1.0V至-2.0V），确保了可靠的开启与关断控制，避免因噪声引起的误触发。
　　在可靠性方面，2SB1240TV2R的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境条件下稳定运行。其最大功率耗散为1W，结合小型SOT-23封装，实现了高性能与空间节省的完美平衡。该器件还具备良好的热响应特性和长期稳定性，适合长时间连续工作。封装采用无铅设计，符合RoHS和Green标准，支持回流焊工艺，便于大规模自动化生产。总体而言，2SB1240TV2R是一款集低导通损耗、快速开关、高可靠性和小型化于一体的先进P沟道MOSFET，广泛服务于现代电子系统对高效节能和紧凑设计的需求。

应用

2SB1240TV2R主要应用于便携式电子设备中的电源管理单元，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，用于电池供电路径的通断控制。它也常被用作DC-DC降压或升压转换器中的同步整流开关，以提高转换效率。此外，该器件适用于各类负载开关电路、电机驱动模块、LED背光驱动以及工业传感器的电源控制。由于其良好的高频响应特性，也可用于信号切换和模拟开关应用中。在通信模块、嵌入式微控制器系统和智能家居设备中，2SB1240TV2R作为高效的P沟道开关元件，发挥着关键作用。