类型：PNP BJT
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：80 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：80 V
　　最大集电极电流（IC）：2 A
　　最大功耗（PC）：800 mW
　　直流电流增益（hFE）：40 ~ 400（典型值取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：150 MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-126

2SB1238的电气特性表现出良好的平衡性，适用于多种中等功率应用场景。首先，其集电极-发射极击穿电压（VCEO）为80V，意味着它可以安全地工作在最高80伏的电压环境下，这使得它适用于大多数常规电源系统，例如12V、24V甚至48V的工业控制系统。同时，集电极最大持续电流可达2A，表明该晶体管能够驱动相对较大的负载，如小型继电器、指示灯组或小功率电机，而不会因过流而导致损坏。这一电流能力结合其800mW的最大功耗，确保了在合理散热条件下可长时间稳定运行。
　　该晶体管的直流电流增益（hFE）范围为40至400，具体数值依赖于集电极电流和温度条件。这一宽泛的增益范围允许设计者在不同工作点下灵活调整电路参数，以实现最佳的线性放大效果或高效的开关操作。较高的hFE值有助于降低驱动基极所需的输入电流，从而减轻前级驱动电路的负担，特别适合与微控制器I/O口直接接口的应用场景。此外，过渡频率（fT）达到150MHz，说明该晶体管在高频信号处理方面也具备一定能力，虽然不适用于超高频射频电路，但在音频放大、脉宽调制（PWM）控制等领域仍能提供良好的响应速度。
　　热稳定性方面，2SB1238的工作结温范围为-55°C至+150°C，覆盖了绝大多数工业与民用环境的温度变化区间。这意味着即使在极端寒冷或高温环境中，器件仍能保持可靠的性能表现。其采用的TO-126封装不仅体积小巧，而且具备一定的散热能力，可通过外接散热片进一步提升功率承受能力。此外，该器件具有较低的饱和压降（VCE(sat)），通常在IC=1A、IB=100mA条件下约为0.3V，有助于减少导通状态下的能量损耗，提高整体效率。
　　在可靠性方面，2SB1238经过严格的质量控制流程生产，具备出色的抗老化能力和耐久性。其结构设计有效防止了二次击穿现象的发生，增强了在瞬态过载情况下的生存能力。同时，该晶体管对静电放电（ESD）也有一定的防护能力，减少了在装配和使用过程中因人为操作不当导致损坏的风险。这些综合特性使其成为众多中低端功率电路设计中的理想选择。

2SB1238广泛应用于各类中等功率的模拟与数字电路中。常见用途包括电源开关控制、继电器驱动电路、LED照明调光模块、电机速度调节装置以及各类工业自动化设备中的信号切换单元。由于其具备较高的电流驱动能力和良好的热稳定性，该晶体管特别适合用于需要将微弱控制信号转换为较强输出电流的场合。例如，在单片机控制系统中，可用作驱动继电器或电磁阀的接口元件，通过较小的GPIO输出电流控制较大负载的通断。
　　在消费类电子产品中，2SB1238可用于音响设备的前置放大级或末级驱动，尤其是在对音质要求不极端苛刻但需兼顾成本与可靠性的产品中表现出色。此外，它也可用于直流-直流转换器中的开关元件，配合其他元器件构成简单的Buck或Boost拓扑结构，实现电压变换功能。在汽车电子领域，该晶体管可用于车内灯光控制、风扇调速或传感器信号调理电路，因其能在较宽温度范围内稳定工作而受到青睐。
　　另一个重要应用是在电池供电设备中作为负载开关使用，利用其低静态功耗和快速响应特性，实现系统的节能管理。例如，在便携式仪器或远程监控终端中，可通过2SB1238切断非必要模块的供电以延长续航时间。此外，由于其参数较为均衡，常被用作教学实验和原型开发中的基础元件，帮助学生理解晶体管的基本工作原理和放大/开关电路的设计方法。总体而言，2SB1238凭借其实用性强、性价比高、易于获取等优势，在多个行业中保持着广泛的应用基础。

2SB1186, 2SB1204, KSP2907A