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2SB1183TL 发布时间 时间:2025/6/27 2:21:48 查看 阅读:20

2SB1183TL 是一种 NPN 型硅双极性晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该晶体管主要用于开关和放大用途,具有较高的电流增益和良好的频率特性。其设计适用于高功率应用场合,能够承受较大的集电极-发射极电压以及较高的持续电流。2SB1183TL 的外形通常为 TO-126 封装,这种封装有助于提高散热性能,使其适合于要求严苛的工业和消费类电子产品中。

参数

集电极-发射极电压:80V
  集电极电流:8A
  直流电流增益(hFE):20~100
  功率耗散:65W
  工作温度范围:-55℃~+150℃
  基极电流:200mA
  过渡频率:10MHz

特性

2SB1183TL 晶体管具备出色的热稳定性,能够在高温环境下长期可靠运行。
  它拥有较高的电流承载能力,适合驱动大功率负载。
  该器件的增益范围适中,确保了在多种放大电路中的兼容性和稳定性。
  同时,其封装形式使得安装简单,并且易于通过散热片进行额外的热量管理。
  此外,由于其高频响应特性,2SB1183TL 还可以用于某些射频或脉冲信号处理场景。

应用

2SB1183TL 广泛应用于开关电源、电机控制、音频功率放大器、继电器驱动等场景。
  它也常见于工业自动化设备中的功率调节电路。
  另外,在家用电器领域,例如空调、冰箱等产品中,也可以找到该晶体管的身影,用以实现对压缩机或其他组件的高效驱动与保护。

替代型号

2SC4174, 2SD1183

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2SB1183TL参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 1.2mA,600mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)1000 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装CPT3
  • 包装带卷 (TR)