类型：PNP
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：80V
　　集电极-基极电压（VCBO）：80V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：3A
　　总功耗（PC）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　增益带宽积（fT）：不适用（低频器件）
　　直流电流增益（hFE）：40~320（典型值，测试条件IC=500mA）
　　封装形式：TO-126

2SB1142具备优异的开关与放大性能，其核心特性之一是较高的直流电流增益（hFE），在典型工作条件下可达到40至320之间的宽范围，这使得它能够有效放大微弱信号或作为高效率的开关元件。该晶体管的集电极电流最大可达3A，意味着它可以驱动较大负载，例如小型继电器、指示灯组或直流电机，而不会出现明显的性能下降。其80V的集电极-发射极击穿电压（VCEO）允许在多种电源电压环境下安全运行，包括常见的24V或48V工业控制系统。
　　该器件采用TO-126塑料封装，具有良好的散热性能和机械强度，同时便于安装于印刷电路板上，支持通孔焊接工艺。TO-126封装还提供了足够的电气隔离和耐压能力，增强了系统安全性。2SB1142的热稳定性表现良好，结温最高可达150°C，可在高温环境中长期工作而不失效。此外，该晶体管对温度变化引起的参数漂移有较强的抑制能力，确保了在不同环境温度下的工作一致性。
　　另一个重要特性是其低饱和压降（VCE(sat)），在充分导通状态下，集电极与发射极之间的电压降非常小（通常低于0.3V，当IC=2A, IB=200mA时），从而减少了功率损耗并提高了整体能效。这一特点使其特别适用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场合。此外，2SB1142具备一定的抗二次击穿能力，在瞬态过载或浪涌电流情况下仍能保持稳定，提升了系统的可靠性。综合来看，该器件以其高可靠性、优良的电气特性和经济性，成为许多模拟与数字混合电路中的理想选择。

2SB1142广泛应用于各类中功率电子电路中，尤其适合作为开关或线性放大元件。常见应用场景包括但不限于：直流电机的速度与方向控制电路，其中该晶体管用于H桥结构的一臂，实现对电机绕组的通断控制；在继电器驱动电路中，2SB1142可作为缓冲级，将来自微控制器的低电平信号转换为足以激励继电器线圈的大电流输出，从而实现强弱电隔离与控制功能。此外，它也常用于线性稳压电源的设计中，作为串联调整管的一部分，调节输出电压以维持稳定。在这种应用中，其高电流承载能力和良好的热稳定性至关重要。
　　在消费类电子产品中，2SB1142可用于音频前置放大器或耳机驱动电路中，利用其良好的增益特性进行信号放大。在工业自动化系统中，该晶体管可用于传感器信号调理模块、PLC输出模块或报警装置的驱动单元。由于其封装紧凑且成本较低，也常被用于电源逆变器、UPS不间断电源及LED照明调光系统中作为功率切换元件。另外，在电池充电管理电路中，2SB1142可用于控制充电路径的通断，防止反向电流流动。总体而言，凡涉及中等功率等级的模拟信号处理或数字开关操作的场合，2SB1142均是一个可靠且经济的选择。

2SB1141
　　KSA1142
　　MJE240
　　TIP42C