型号：2SB1132G-Q-AB3-R
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：-4.6A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：-18.4A
　　最大功耗（Pd）：1.5W
　　导通电阻Rds(on)：32mΩ（Vgs = -4.5V）
　　导通电阻Rds(on)：27mΩ（Vgs = -6V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：860pF（Vds=10V, Vgs=0V）
　　反向传输电容（Cres）：45pF（Vds=10V, Vgs=0V）
　　开启时间（Ton）：约15ns
　　关闭时间（Toff）：约25ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8（含散热焊盘）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

2SB1132G-Q-AB3-R采用了罗姆专有的Trench MOS结构技术，这种结构通过在硅基底上形成垂直沟道来显著降低导通电阻Rds(on)，从而减少功率损耗并提升整体能效。在Vgs = -6V时，其典型Rds(on)仅为27mΩ，这使得该器件在大电流应用中表现出色，尤其适合用于同步整流和高效DC-DC降压转换器。此外，低Rds(on)还意味着更少的发热，有助于延长系统寿命并减少对散热设计的依赖。
　　该器件具备良好的栅极电荷特性，总栅极电荷Qg较低，这意味着驱动所需的能量较少，能够与低压逻辑信号直接兼容，适用于由微控制器或专用电源管理IC直接驱动的场合。同时，其输入电容Ciss和反向传输电容Cres经过优化，在高频开关应用中可有效减少开关损耗，提高电源转换效率。得益于SOP-8封装内置的散热焊盘，热量可以从芯片背部高效传导至PCB，进一步提升了热稳定性。
　　作为符合AEC-Q101标准的汽车级元件，2SB1132G-Q-AB3-R在生产过程中经历了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）、温度循环（TC）、高压蒸煮（PCT）等，确保其在恶劣环境下的长期稳定性。这使其非常适合用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、LED照明驱动以及电动助力转向系统等关键应用场景。
　　此外，该器件具有较强的抗噪能力和稳定的阈值电压特性，避免因噪声干扰导致误触发。其负向阈值电压范围控制在-1.0V至-2.0V之间，确保在不同工作条件下都能实现可靠的开关动作。综合来看，2SB1132G-Q-AB3-R是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，兼顾了低导通电阻、快速开关响应和优异的热管理能力，是现代电源系统中理想的高端开关选择。

2SB1132G-Q-AB3-R广泛应用于需要高效电源管理和紧凑布局的电子系统中。其主要应用领域包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源，其中常被用作电池供电系统的负载开关或反向电流阻断器件。由于其低导通电阻和小封装尺寸，能够在有限的空间内实现高效的电源路径控制，最大限度地减少能量损失并延长电池续航时间。
　　在工业控制和通信设备中，该器件可用于DC-DC转换器的同步整流部分，特别是在非隔离式Buck电路中作为上管开关使用。其快速的开关特性和低栅极驱动需求使其能够与多种PWM控制器良好配合，提升整体电源效率。此外，它也适用于各类电源多路复用（Power MUX）电路，实现主备电源之间的无缝切换，保障系统持续供电。
　　在汽车电子领域，得益于其AEC-Q101认证，2SB1132G-Q-AB3-R被广泛用于车载充电器、远程无钥匙进入系统、仪表盘显示模块、车载摄像头和传感器供电管理单元。这些应用通常要求元器件能在宽温度范围和复杂电磁环境下稳定工作，而该器件出色的热性能和抗干扰能力正好满足这些需求。
　　此外，它还可用于电机驱动电路中的电平转换或保护电路，作为高端驱动开关，控制电机的启停与方向切换。在LED驱动电路中，也可作为调光开关使用，实现精确的亮度控制。总体而言，2SB1132G-Q-AB3-R凭借其高可靠性、小体积和优异的电气性能，已成为多种中低功率电源管理系统中的关键组件。

DMG2305UX-7
　　Si2301DS-S13-ND
　　FDS6679AS
　　AO3401A