2SB1119S-TD-E 是一款双极性 NPN 晶体管,主要用于开关和放大应用。该型号属于 Toshiba 公司的高速开关晶体管系列,具有较高的电流增益和出色的开关特性,适用于各种消费电子、工业控制以及电源管理领域。
该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装形式,能够提供良好的散热性能,并且其电气参数适合中低功率应用环境。
集电极-发射极电压(Vce):40V
集电极电流(Ic):3A
直流电流增益(hFE):最小值80,典型值200
最大功耗(Ptot):2W
工作温度范围:-55℃至150℃
存储温度范围:-55℃至175℃
过渡频率(fT):300MHz
2SB1119S-TD-E 拥有以下关键特性:
1. 高速开关能力:由于其高过渡频率(fT),能够在高频电路中实现快速切换操作。
2. 较高的电流增益:直流电流增益 hFE 范围为 80 至 200,确保了在信号放大部分的稳定性。
3. 紧凑型封装:TO-252 封装设计节省了 PCB 空间,同时具备良好的热性能。
4. 广泛的工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +150℃ 的工作温度,适应多种恶劣环境下的应用需求。
5. 可靠性高:通过了严格的可靠性测试,保证长时间稳定运行。
这款晶体管主要应用于以下领域:
1. 开关电路:例如继电器驱动、LED 驱动等。
2. 放大器电路:音频放大器、传感器信号放大等。
3. 工业自动化设备中的功率控制。
4. 通信设备中的高频信号处理。
5. 各种消费类电子产品中的电源管理模块。
2SC4827, 2SB1121