晶体管类型：PNP
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：40V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益带宽积（fT）：100MHz
　　封装类型：TO-92 或等效小型塑料封装

2SB1059-B 晶体管具有出色的高频性能，适用于各种射频和中频放大器应用。其高频过渡频率（fT）为100MHz，使其能够在高频条件下保持良好的增益特性。
　　该晶体管的最大集电极电流为150mA，能够在中等功率条件下提供稳定的放大性能。其最大功耗为200mW，适合在低功耗电路中使用。
　　该晶体管具有良好的温度稳定性，能够在-55°C至+150°C的工作温度范围内可靠运行，适用于各种环境条件下的电子设备。
　　此外，2SB1059-B 的封装形式为小型塑料封装（如TO-92），便于在紧凑的PCB设计中使用，并具有良好的机械强度和电气性能。
　　由于其优异的性能和可靠的封装，2SB1059-B 常用于音频放大器、RF放大器、开关电路、振荡器以及各种通用放大电路中。

2SB1059-B 主要用于高频放大电路，如射频（RF）放大器和中频（IF）放大器，适用于通信设备、无线模块和射频接收器。
　　该晶体管也常用于音频放大电路，作为前置放大器或驱动放大器，提供良好的增益和频率响应。
　　在开关电路中，2SB1059-B 可用于控制小功率负载，如LED、继电器和小型电机。
　　此外，该晶体管还可用于振荡器电路、稳压电路和各种通用电子设备中的信号处理和放大应用。

2SB1059-O, 2SB1059-Y, BC557, 2N3906