型号：2SAR554P5
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：20V
　　栅源电压VGS：±12V
　　连续漏极电流ID：4.4A
　　脉冲漏极电流ID_pulse：10A
　　导通电阻RDS(on)：最大23mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻RDS(on)：最大30mΩ @ VGS=2.5V
　　栅极阈值电压Vth：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容Ciss：约680pF @ VDS=10V
　　输出电容Coss：约190pF @ VDS=10V
　　反向传输电容Crss：约45pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间td(on)：约8ns
　　关断延迟时间td(off)：约12ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SC-70-6

2SAR554P5采用了ROHM专有的高密度沟槽型MOSFET工艺，这种结构优化了载流子迁移路径，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了功率损耗并提高了整体能效。其典型RDS(on)值在VGS=4.5V时仅为23mΩ，在同类产品中处于领先水平，特别适合对效率要求较高的低压大电流开关应用。该器件具备快速开关响应能力，开启和关闭延迟时间均低于15ns，能够有效支持高频PWM调制操作，例如在同步整流型DC-DC变换器中实现高效能量转换。
　　另一个关键特性是其低阈值电压设计，Vth范围为0.6V至1.0V，这意味着它可以在较低的栅极驱动电压下完全导通，非常适合使用电池供电或采用低电压微控制器直接驱动的应用场景。这不仅简化了外围驱动电路的设计，还降低了系统整体功耗。同时，器件内部集成了体二极管，具备一定的反向电流续流能力，可在感性负载切换过程中提供必要的保护路径。
　　2SAR554P5还表现出优异的热稳定性和可靠性。其最大工作结温可达150°C，并支持宽泛的环境温度范围，确保在高温环境下仍能保持性能稳定。SC-70封装虽然体积小巧，但通过优化引脚布局和芯片贴装技术，实现了良好的热传导性能，有助于将热量迅速传递至PCB上，避免局部过热问题。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害卤素，满足现代电子产品对绿色环保的要求。ESD防护能力达到HBM模式2kV以上，进一步提升了生产装配过程中的耐受性与长期使用的安全性。

2SAR554P5广泛应用于需要高效、小尺寸功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，如智能手机和平板电脑内的背光驱动电路、USB电源开关控制以及电池充放电路径管理。在DC-DC降压或升压转换器中，该MOSFET常作为同步整流开关使用，替代传统肖特基二极管以降低导通损耗，提高转换效率，尤其适用于1.8V、3.3V或5V供电轨的调节系统。
　　工业控制领域中，2SAR554P5可用于驱动小型继电器、步进电机或LED阵列，凭借其快速响应能力和低驱动门槛，能够实现精确的时序控制与节能运行。在汽车电子方面，得益于其通过AEC-Q101认证，该器件适用于车载摄像头模块、车内照明控制、车载导航系统电源管理等非动力总成相关的低压应用，保障在振动、温度波动等复杂工况下的长期可靠性。
　　此外，该器件也适用于各类物联网节点设备、无线传感器网络终端以及智能家居控制器中，用于负载开关或电源域隔离功能，帮助延长待机时间并提升系统响应速度。其小型化封装特别适合空间受限的高集成度设计，是现代高密度PCB布局的理想选择之一。

DMG2305UX
　　SI2305DDS