时间：2025/12/25 11:42:43
阅读：17
2SAR553P5T100是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效开关性能的电子设备中。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于中等功率级别的开关应用。2SAR553P5T100的封装形式为SOP-8（表面贴装），便于在紧凑型PCB设计中使用，并支持回流焊工艺，适合自动化生产流程。
该MOSFET的最大漏源电压（VDS）为30V，最大连续漏极电流可达数十安培（具体数值需参考官方数据手册），能够在较高的负载条件下稳定工作。其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少驱动损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，提升了在瞬态过压情况下的可靠性。
2SAR553P5T100常用于便携式设备电源管理、电池供电系统、LED驱动电路以及各种工业控制模块中。由于其优异的电气性能和小型化封装，成为许多现代电子产品中的关键元器件之一。为了确保最佳性能，建议在实际应用中配合适当的散热设计和栅极驱动电路。
型号：2SAR553P5T100
类型：N沟道MOSFET
封装：SOP-8
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：70A（TC=25°C）
最大脉冲漏极电流(IDM)：280A
最大导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ @ VGS=10V, ID=35A
栅极阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
输入电容(Ciss)：约7000pF @ VDS=15V, VGS=0V
反向恢复时间(trr)：典型值40ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
功率耗散(PD)：约100W（TC=25°C）
2SAR553P5T100采用ROHM专有的高性能沟槽结构技术，实现了极低的导通电阻与优异的电流处理能力之间的平衡。其RDS(on)仅为5.5mΩ，在同类SOP-8封装MOSFET中处于领先水平，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的能效表现。这一特性尤其适用于大电流应用场景，如同步整流、H桥电机驱动和高效率降压变换器等。器件的低RDS(on)还意味着在相同功耗下温升更小，从而延长了使用寿命并提高了系统可靠性。
该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），显著减少了开关过程中的驱动能量需求，使开关速度更快，开关损耗更低。这对于高频工作的电源转换器至关重要，能够帮助实现更高的工作频率，同时保持较高的转换效率。此外，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过优化设计，有助于减小EMI干扰，提升电磁兼容性。
2SAR553P5T100具有良好的热稳定性，芯片内部采用了高导热材料和优化的封装结构，使得热量能够快速从芯片传导至PCB，进而散发到环境中。即使在高负载或长时间运行条件下，也能维持稳定的电气性能。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境下的应用需求，包括工业控制、汽车电子外围电路等。
该器件还具备较强的抗雪崩能力和过压保护特性，能够在瞬态电压冲击或感性负载切换过程中提供一定的自我保护能力，防止因电压尖峰导致的永久性损坏。这种鲁棒性增强了其在复杂电路环境中的适用性与安全性。
2SAR553P5T100广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合作为同步整流器中的主开关管使用于高效率DC-DC降压转换器中。在这些应用中，它通常与控制器IC配合，用于调节输出电压，满足不同负载条件下的稳定供电需求。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于笔记本电脑、服务器主板、通信设备电源模块等对效率和空间要求较高的场合。
在电机驱动领域，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构中，控制直流电机或步进电机的正反转及调速功能。凭借其快速开关特性和低损耗优势，可实现精确的PWM控制，提升驱动系统的响应速度与能效。此外，在电池管理系统（BMS）中，2SAR553P5T100也可作为充放电通路的主控开关，确保电池组的安全运行。
该器件同样适用于LED照明驱动电路，特别是在大功率LED恒流驱动方案中，作为主开关元件参与能量转换过程。其高可靠性和耐久性保证了长期点亮下的稳定性。此外，在消费类电子产品如平板电脑、智能手机充电器、移动电源等设备中，也常见其身影，用于电源路径管理或负载开关控制。
工业自动化设备、仪器仪表、网络交换机电源单元等也是其典型应用场景。由于其SOP-8封装体积小巧且支持自动贴片，因此非常适合高度集成化的现代电子产品制造流程。
RJK0630DPB
RJK0631DPB
SiSS106DN-T1-E3
AOZ6311CI
FDLF35N30CT
IPD95R060CFXKSA1
