类型：PNP型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　封装形式：SOT-23

2SA812QLT1G 具备多项优异的电气特性和封装优势，使其适用于多种高频和低功耗应用场景。
　　首先，该晶体管的高频特性使其非常适合用于射频（RF）放大器、中频放大器以及高速开关电路。其过渡频率（fT）高达100MHz，能够确保在较高频率下仍具备良好的增益表现。
　　其次，该器件的电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的等级划分，可以在110至800之间变动，从而满足不同电路对放大倍数的需求。这种灵活性使得2SA812QLT1G在通用放大和开关电路中表现出色。
　　此外，该晶体管采用SOT-23小型封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合高密度PCB布局，同时有助于简化电路设计并减少空间占用。
　　在功耗方面，2SA812QLT1G 的最大功耗为300mW，能够在较低的功耗下实现较高的性能输出，适用于电池供电设备和便携式电子产品。
　　最后，该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的环境适应性，适用于工业级和消费级应用。

2SA812QLT1G 主要应用于以下几个方面：
　　1. **高频放大电路**：由于其过渡频率高达100MHz，常用于射频和中频信号的放大，适用于无线通信设备、调频接收器等。
　　2. **音频放大器**：作为音频信号放大元件，用于前置放大电路、音频功率放大模块等，提供良好的音质表现。
　　3. **数字开关电路**：适用于需要快速开关的逻辑电路、驱动电路、继电器控制等场景。
　　4. **便携式电子设备**：由于其低功耗和小封装特性，广泛用于智能手机、平板电脑、耳机放大器等便携设备中的信号处理和电源管理电路。
　　5. **传感器接口电路**：用于传感器信号的放大与调理，如温度传感器、压力传感器等模拟信号处理电路中。

2SA1015, 2SA970, BC857, BC847, 2N3906