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2SA2153-TD-E 发布时间 时间:2025/8/2 7:43:23 查看 阅读:21

2SA2153-TD-E 是一款由东芝(Toshiba)制造的PNP型双极性晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。这款晶体管设计用于需要高频率操作和低噪声性能的电子电路中,适用于音频放大器、射频(RF)电路以及各种消费类电子产品。

参数

晶体管类型:PNP型BJT
  最大集电极电流(Ic):150mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50V
  最大功耗(Pd):300mW
  截止频率(fT):100MHz
  封装类型:TO-92

特性

2SA2153-TD-E 晶体管具有良好的高频性能,适用于需要快速开关和低噪声的应用。它的设计允许在高频下保持较高的增益,使其非常适合用于射频放大器和前置放大器电路。
  此外,这款晶体管的封装采用TO-92标准封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,能够在相对恶劣的环境条件下稳定工作。由于其高频特性,2SA2153-TD-E 常用于音频设备、无线通信设备和电视调谐器等高频电路中。
  该晶体管还具有较低的噪声系数,适合用于前置放大器和信号处理电路中,以提高系统的整体信噪比。其增益带宽积(fT)为100MHz,表示在高频下仍然能够提供足够的增益,适用于多种高频应用场合。

应用

2SA2153-TD-E 主要应用于高频放大器、音频放大器、射频电路、前置放大器、无线通信设备、电视调谐器以及各种消费类电子产品中。它也常用于需要低噪声和高频响应的信号处理电路中。

替代型号

2SA1015, 2SA1930, BC557

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2SA2153-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 频率 - 转换420MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)