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2SA2125-TD-E 发布时间 时间:2025/8/2 7:58:09 查看 阅读:34

2SA2125-TD-E 是一款由东芝(Toshiba)生产的PNP型双极性晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用小型表面贴装塑料封装(SOT-23),适用于便携式电子设备、射频(RF)电路和低功率放大器等应用。该器件具有良好的高频响应和稳定的电气特性,能够在较宽的温度范围内可靠工作。

参数

晶体管类型:PNP型双极性晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):150mA
  最大功耗(PD):200mW
  最大工作频率(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110~800(根据等级不同)
  封装类型:SOT-23

特性

2SA2125-TD-E 具备优异的高频性能,使其适用于射频和中频放大电路。该晶体管在高频工作条件下仍能保持较高的电流增益,确保信号的稳定放大。
  其SOT-23封装形式体积小巧,便于在高密度印刷电路板(PCB)上安装,适用于移动设备和手持仪器等空间受限的应用场景。
  该器件的电流增益范围较宽(110至800),根据不同的应用需求可以选择不同等级的产品,提供了更高的设计灵活性。
  此外,该晶体管具有良好的热稳定性和环境适应能力,能够在-55℃至+150℃的温度范围内正常工作,适合工业级和消费类电子产品使用。
  2SA2125-TD-E 的低功耗特性使其在电池供电设备中表现出色,有助于延长设备的续航时间。

应用

该晶体管广泛应用于射频放大器、中频放大器、音频放大电路以及各种低功率开关电路中。它特别适合用于便携式通信设备、无线模块、传感器接口电路和小型电源管理系统。
  在无线通信领域,该器件可用于低噪声放大器(LNA)和驱动放大器的设计,以提高系统的信号接收能力和传输效率。
  在音频应用中,它可以作为前置放大器或音量控制电路的一部分,提供良好的音质和稳定的增益。
  此外,2SA2125-TD-E 还可用于数字电路中的逻辑电平转换和驱动小型继电器或LED显示屏等负载。

替代型号

2SA1015、2SA1906、2SA1298、BC847B

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2SA2125-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 100mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 频率 - 转换390MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)