型号：2SA1875-E
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：37mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：47mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@ VDS = 15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@ VDS = 15V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ VDS = 15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-4 或 SOT-23-4

2SA1875-E的首要特性是其优异的导通性能和低导通电阻表现，这使得它在大电流负载条件下依然能够保持较低的功耗和温升。在VGS = -10V时，RDS(on)仅为37mΩ，而在常见的逻辑电平驱动条件（如VGS = -4.5V）下，RDS(on)也仅为47mΩ，表明其对低电压驱动环境有良好适应性。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率，特别适用于电池供电系统中对能效要求较高的场合。
　　其次，该器件具备出色的开关速度。得益于较小的输入和输出电容（Ciss=600pF, Coss=190pF），2SA1875-E能够在高频PWM控制下实现快速响应，开启延迟时间为10ns，关断延迟时间为25ns，支持高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率运行。这对于现代高效的同步降压或反激式转换器至关重要，有助于减小外围电感和电容尺寸，提升电源小型化水平。
　　再者，2SA1875-E采用了先进的沟槽型MOSFET工艺制造，提升了载流子迁移率并优化了电场分布，从而增强了器件的可靠性和耐久性。其最大漏源电压为-30V，可安全应用于大多数12V及以下的直流电源系统，并留有一定安全裕量。同时，器件内部集成了体二极管，具备一定的反向续流能力，适用于需要反向电流路径的应用场景。
　　热性能方面，该MOSFET具有良好的散热设计，结合SOP-4封装的引脚布局，可通过PCB铜箔进行有效散热，确保长时间高负载运行下的稳定性。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，满足工业级应用需求。此外，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）等，确保长期使用的品质一致性。

2SA1875-E主要应用于各类中小功率的电源管理系统中，尤其是在需要高效、小型化设计的便携式电子设备中表现突出。常见应用包括手持设备中的电池电源开关控制，用于切断主电源路径以降低待机功耗；在DC-DC转换器中作为高端开关元件，配合N沟道MOSFET构成非同步或半同步整流结构，实现电压调节功能；也可用于负载切换电路，例如在多电源系统中选择主备电源路径，或控制外设模块的供电通断。
　　此外，该器件适用于各种消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、数码相机、便携式游戏机等内部的电压域隔离与电源管理单元。在这些设备中，2SA1875-E常被用来控制不同功能模块（如显示屏、摄像头、无线模块）的独立供电，实现精细化电源调度，延长电池续航时间。
　　在工业控制领域，2SA1875-E可用于低电压伺服驱动器、传感器供电模块、嵌入式控制器的电源管理部分。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也能在汽车电子中的辅助系统（如车载信息娱乐系统、车内照明控制）中找到应用。此外，该器件还可用于USB供电管理、充电管理电路中的反向电流阻断，防止电池倒灌至输入端。
　　在设计上，2SA1875-E通常与一个N沟道MOSFET配对使用，组成互补型开关电路，实现高效的电源通断控制。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由微处理器GPIO引脚或专用驱动IC控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。

Si3463EDV-T1-GE3
　　FDN360P
　　ZXM61P06