时间：2025/12/27 8:25:33
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2SA1797G-A-AB3-R是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道MOSFET晶体管，专为高频开关应用和电源管理电路设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电系统等应用场景。2SA1797G-A-AB3-R封装在小型化S-Mini（SC-88A/SC-70-6）封装中，有助于节省PCB空间，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性，适合在工业级温度范围内稳定运行。其栅极阈值电压设计合理，可与常见的逻辑电平兼容，便于直接由微控制器或其他数字信号源驱动。此外，该MOSFET具备较低的栅极电荷和输入电容，有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，2SA1797G-A-AB3-R广泛应用于智能手机、平板电脑、无线耳机、可穿戴设备以及其他需要高效能功率开关的便携式设备中。
这款器件通常与N沟道MOSFET配对使用，构成互补型功率开关电路，用于实现同步整流或H桥驱动等功能。其型号中的后缀“-R”表示编带包装，适用于自动化贴片生产线，提升了大规模生产中的装配效率。ROHM为其提供了完整的技术支持文档，包括数据手册、应用指南和参考设计，帮助工程师快速完成电路设计与调试工作。
型号: 2SA1797G-A-AB3-R
制造商: ROHM Semiconductor
晶体管类型: P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDSS): -20V
最大连续漏极电流(ID): -2.7A
最大脉冲漏极电流(ID_pulse): -5.4A
最大栅源电压(VGS): ±12V
导通电阻(RDS(on)): 65mΩ @ VGS = -4.5V, ID = -2A
导通电阻(RDS(on)): 85mΩ @ VGS = -2.5V, ID = -2A
栅极阈值电压(Vth): -0.5V ~ -1.0V
栅极电荷(Qg): 5.8nC @ VDS = -10V, VGS = -4.5V
输入电容(Ciss): 290pF @ VDS = -10V, VGS = 0V, f = 1MHz
反向传输电容(Crss): 40pF @ VDS = -10V, VGS = 0V, f = 1MHz
输出电容(Coss): 240pF @ VDS = -10V, VGS = 0V, f = 1MHz
开启延迟时间(td_on): 6ns
上升时间(tr): 24ns
关断延迟时间(td_off): 16ns
下降时间(tf): 8ns
工作结温范围(Tj): -55°C ~ +150°C
存储温度范围(Tstg): -55°C ~ +150°C
封装类型: S-Mini (SC-88A/SC-70-6)
安装类型: 表面贴装(SMD)
