时间：2025/11/8 9:47:14
阅读：9
2SA1774EBTLR是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道MOSFET晶体管，采用小型表面贴装封装（S-Mini），专为高密度、低功耗应用设计。该器件属于ROHM的“Eco-Smart”系列，强调高效能与节能特性，适用于电池供电设备、便携式电子产品以及需要紧凑布局的电路设计中。2SA1774EBTLR在性能上优化了导通电阻和栅极电荷，能够在低电压控制下实现高效的开关操作，同时保持较低的静态电流消耗。其封装形式BTLR表示其为编带包装的小型化塑封三极管结构，适合自动化贴片生产流程。这款P-MOSFET常用于电源管理模块中的负载开关、反向电流阻断、DC-DC转换器的同步整流等场景，在智能手机、可穿戴设备、IoT终端和小型传感器系统中具有广泛的应用价值。
型号：2SA1774EBTLR
极性：P沟道
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大连续漏极电流（ID）：-5.0A
最大脉冲漏极电流（IDM）：-12A
最大栅源电压（VGS）：±12V
最大导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS = -4.5V
最大导通电阻（RDS(on)）：25mΩ @ VGS = -6.0V
栅极阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
输入电容（Ciss）：1200pF @ VDS=10V
总栅极电荷（Qg）：11nC @ VGS=4.5V
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：S-Mini (相当于SOT-490FL)
安装方式：表面贴装
功率耗散（Pd）：1W @ TC=25°C
2SA1774EBTLR具备优异的电气性能与热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与快速开关响应的结合。该器件在VGS=-4.5V时RDS(on)仅为30mΩ，而在更高驱动电压如-6.0V下进一步降低至25mΩ，显著减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。
这种低RDS(on)特性使其特别适用于大电流开关应用，例如电池供电系统的负载切换或热插拔保护电路，能够有效防止浪涌电流对系统造成冲击。同时，由于其P沟道结构，该MOSFET在栅极为低电平时导通，简化了逻辑控制接口的设计，尤其适合与低压微控制器直接连接而无需额外电平转换电路。
该器件的总栅极电荷Qg仅为11nC，表明其驱动所需的能量非常小，有利于高频开关操作并减少驱动IC的负担。此外，输入电容Ciss为1200pF，保证了良好的高频响应能力，有助于提升开关速度和系统动态响应性能。
2SA1774EBTLR采用S-Mini小型封装，尺寸紧凑，典型封装尺寸约为2.0mm × 1.2mm × 0.7mm，极大节省PCB空间，满足现代电子产品轻薄化需求。该封装还具备良好的散热性能，通过底部裸露焊盘可将热量高效传导至PCB地层，从而提高长期运行的可靠性。
工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其可在严苛环境条件下稳定工作，包括工业级温度应用。器件符合RoHS环保标准，并具有无卤素（Halogen-free）认证，符合现代绿色电子产品的设计要求。
2SA1774EBTLR广泛应用于便携式电子设备中的电源管理单元，典型用途包括移动设备中的电池供电切换、背光LED驱动控制、USB接口的过流与反接保护、DC-DC降压变换器中的高端开关元件等。在嵌入式系统中，它可用于实现多电源域之间的自动切换，例如主电源与备用电池之间的无缝过渡。该器件也常见于各类消费类电子产品，如智能手表、无线耳机、健康监测设备等，这些产品对元器件的尺寸、功耗和效率有极高要求。此外，在工业传感器节点、智能家居终端和物联网（IoT）网关中，2SA1774EBTLR被用于构建低静态电流的待机电源路径管理，以延长电池寿命。其高可靠性与稳定的开关特性也使其适用于汽车电子中的非关键性辅助电源控制模块，如车载信息娱乐系统的局部供电管理。由于其出色的热性能和电气特性，该器件还可用于替代传统机械继电器或双极性晶体管，在实现小型化的同时提升系统响应速度和耐用性。
2SA1774EKTBL
