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2SA1753-6-TB-E 发布时间 时间:2025/9/20 13:39:41 查看 阅读:15

2SA1753-6-TB-E是一款由东芝(Toshiba)生产的P沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等高效率低电压电路中。该器件采用小型表面贴装封装(通常为SOT-23或类似的小型化封装),适合在空间受限的便携式电子设备中使用。作为P沟道MOSFET,2SA1753-6-TB-E在栅极施加负电压相对于源极时导通,具有较低的导通电阻和快速的开关响应特性,适用于电池供电系统中的高效能开关控制。该型号后缀“-6-TB-E”通常表示其为编带包装、符合环保标准(如无铅、符合RoHS指令)的产品版本,适合自动化贴片生产流程。由于其优良的热稳定性和可靠性,2SA1753-6-TB-E被广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费类电子产品中。

参数

类型:P沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):-30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):-4.4A(@ Vgs = -10V)
  脉冲漏极电流(Idm):-12A
  导通电阻(Rds(on)):37mΩ(@ Vgs = -10V);45mΩ(@ Vgs = -4.5V)
  阈值电压(Vth):-1.0V ~ -2.5V
  输入电容(Ciss):800pF(@ Vds = 15V)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

2SA1753-6-TB-E具备优异的电气性能与热稳定性,其核心优势之一是低导通电阻(Rds(on)),在Vgs = -10V条件下可低至37mΩ,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体能效。这对于电池供电设备尤为重要,有助于延长设备的工作时间。此外,该器件在Vgs = -4.5V时仍能保持较低的Rds(on),表明其在低驱动电压下仍具备良好的导通能力,适用于3.3V或更低逻辑电平控制的应用场景。
  该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术,优化了载流子迁移路径,提升了电流处理能力和开关速度。同时,其输入电容较小(典型值800pF),使得在高频开关应用中所需的驱动功率较低,有利于提升开关电源的转换效率。器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V,确保了可靠的关断与导通控制,避免因噪声干扰导致误动作。
  在可靠性方面,2SA1753-6-TB-E具备高达+150°C的最大结温,能够在高温环境下稳定运行,适合在紧凑布局中产生的热应力条件下工作。其符合RoHS环保标准且不含卤素,满足现代电子产品对绿色制造的要求。小型SOT-23封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,通过PCB焊盘可实现有效热传导。此外,该器件具有良好的抗静电能力(ESD保护)和稳健的栅氧化层设计,增强了在实际装配和运行过程中的耐用性。

应用

2SA1753-6-TB-E常用于各类便携式电子设备的电源管理系统中,典型应用场景包括电池供电系统的负载开关、电源路径管理、过压/欠压保护电路以及DC-DC降压或升压转换器中的同步整流部分。在智能手机和平板电脑中,它可用于主电源的上桥开关,控制电池向主处理器或其他功能模块供电的通断,实现节能待机或安全关断。
  此外,该器件也适用于热插拔电路设计,能够防止接通瞬间的浪涌电流对系统造成冲击。在USB电源开关、LDO使能控制、多电源选择切换等领域也有广泛应用。由于其快速的开关响应能力,2SA1753-6-TB-E还可用于脉宽调制(PWM)控制的背光驱动或电机驱动电路中,作为低端或高端开关元件。
  工业级应用中,该MOSFET可用于小型PLC模块、传感器供电控制、低功耗嵌入式控制器等场合。因其高可靠性和稳定的温度特性,即使在环境温度变化较大的工业环境中也能保持良好性能。总之,2SA1753-6-TB-E凭借其高性能、小尺寸和高效率,成为现代低电压、高密度电源设计中的理想选择。

替代型号

[
   "2SA1753",
   "AP2305",
   "FDMS7682",
   "Si2303",
   "DMG2304U"
  ]

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