型号：2SA1740E-TD-E
　　极性：P沟道
　　漏源电压(VDSS)：-30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-4.5A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-18A
　　导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-10V：37mΩ
　　导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-4.5V：48mΩ
　　导通电阻(RDS(on))_max@VGS=-2.5V：68mΩ
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：900pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：530pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　栅极电荷(Qg)：13nC @ VDS=15V, ID=-4.5A
　　功耗(Pd)：1.5W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：Mini6-SMD (HVSOF6)
　　安装方式：表面贴装(SMD)
　　通道数：单通道

2SA1740E-TD-E采用了ROHM专有的Trench栅极MOSFET工艺，这种结构能够在保持小型封装的同时实现非常低的导通电阻，从而有效减少导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件在VGS=-10V时的最大RDS(on)仅为37mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，特别适用于对效率要求较高的低压电源管理应用。其栅极阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，使得该器件可以在较低的控制电压下实现完全导通，兼容3.3V或更低逻辑电平驱动信号，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　该MOSFET具备出色的开关特性，输入电容Ciss为900pF，输出电容Coss为530pF，反向传输电容Crss仅为50pF，这些参数保证了较快的开关速度和较低的驱动损耗，有助于提高DC-DC转换器等高频应用中的动态响应性能。同时，其栅极电荷Qg仅为13nC，意味着驱动电路所需的能量较少，进一步降低了控制部分的功耗。Mini6-SMD封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.6mm x 1.6mm x 0.55mm），还优化了散热路径，通过底部导热焊盘将热量高效传导至PCB，提升了功率密度和长期工作的可靠性。
　　在可靠性方面，2SA1740E-TD-E经过严格的质量认证，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（若适用），具备良好的高温工作能力和抗湿性。器件支持-55°C至+150°C的工作结温范围，适用于宽温环境下的工业与消费类电子产品。内置的体二极管具有快速恢复特性，可有效应对感性负载关断时产生的反向电流，防止电压尖峰损坏其他元件。此外，该器件符合RoHS环保指令，不含铅、镉等有害物质，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造需求。

2SA1740E-TD-E广泛应用于各类需要高效电源管理的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电池电源开关，用于控制电池与主系统的连接与断开，实现低功耗待机模式或过流保护功能。在同步降压（Buck）转换器中，它可作为高端或低端开关使用，尤其适合作为低端同步整流MOSFET，利用其低RDS(on)减少导通损耗，提高转换效率。此外，该器件也常用于负载开关电路，控制外设模块的供电通断，避免不必要的漏电流，延长电池续航时间。
　　在移动设备如智能手机和平板电脑中，2SA1740E-TD-E可用于相机模组、显示屏背光、Wi-Fi/蓝牙模块等子系统的电源管理。其快速开关能力和低静态电流特性使其非常适合用于瞬态响应要求高的应用场景。在工业控制领域，该器件可用于PLC输入输出模块、传感器供电控制以及小型电机驱动电路中的电源切换环节。由于其具备一定的电流承载能力和良好的热稳定性，也可用于USB充电端口的过流保护和热插拔控制电路中，确保设备安全接入。
　　此外，该MOSFET还可用于反向极性保护电路，替代传统的肖特基二极管，实现更低的压降和更高的效率。在多电源选择电路中，2SA1740E-TD-E可用于自动切换主电源与备用电池之间的供电路径，确保系统持续运行。其SMD封装形式便于自动化生产，适用于大批量制造场景，是现代高集成度电子产品中理想的功率开关解决方案。

2SA1740E-HF, 2SA1740E-TL-E, SI2303-CDS, DMG2303U, FDMC8200, AOD403