时间：2025/8/2 5:59:38
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2SA1419S-TD-H是一款由东芝（Toshiba）制造的PNP型双极性晶体管，主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用小型表面贴装（SOT-323）封装，适用于便携式电子设备、无线通信模块和射频（RF）电路。2SA1419S-TD-H具有优异的高频响应性能和良好的热稳定性，能够在高频条件下保持稳定的工作状态。
晶体管类型：PNP双极性晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
集电极-基极电压（VCBO）：50V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
集电极电流（IC）：150mA
功耗（PD）：100mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110至800（根据档位不同）
2SA1419S-TD-H具备多个显著的技术特性，首先其高频性能优异，适用于射频和中频放大电路。该晶体管的增益带宽积高达100MHz，使其在高频应用中仍能保持良好的放大能力。此外，该器件的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，根据不同的应用需求可以选择合适的档位。其SOT-323封装形式不仅体积小巧，还便于自动化贴片安装，适用于高密度PCB布局。
在可靠性方面，2SA1419S-TD-H具备良好的热稳定性和抗静电能力，能够在高温环境下稳定运行。该晶体管的功耗较低，典型值为100mW，适合低功耗设计。其工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，满足工业级和汽车电子的严苛要求。此外，该晶体管的封装材料符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计。
2SA1419S-TD-H广泛应用于多个电子领域。在无线通信系统中，它常用于射频功率放大器和混频器，以提升信号质量和传输效率。由于其优异的高频响应特性，该晶体管也适用于中频放大器和振荡器设计。此外，在音频放大电路中，2SA1419S-TD-H可用于前置放大器或低噪声放大器，提供良好的音质表现。
在工业自动化和控制系统中，该晶体管可作为高速开关元件，用于控制继电器、LED显示屏和传感器信号调理。其低功耗和高稳定性特点使其成为便携式设备（如无线耳机、蓝牙模块和智能手表）中的理想选择。此外，在汽车电子领域，该器件可用于车载通信系统、遥控门锁和车身控制模块。
2SA1329S-TD-H, 2SA1298S-TD-H, 2SA1015S-TD-H
