晶体管类型：PNP型双极性晶体管（BJT）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：最大100mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　电流增益（hFE）：典型值110~800（根据不同档位）
　　频率响应（fT）：250MHz
　　封装形式：SOT-323（SC-70）

2SA12202SA-Y 是一款性能稳定的高频PNP晶体管，其主要特性包括优异的高频响应能力和良好的电流放大特性。由于其高电流增益（hFE）范围广泛（110~800），该晶体管可以根据具体应用选择不同档位，以满足不同的放大需求。该晶体管具有较高的集电极-基极击穿电压（VCBO）达100V，使其在较高电压环境下仍能稳定工作。
　　该器件采用小型SOT-323封装，具有体积小、重量轻、安装方便等优点，非常适合用于便携式电子产品、无线通信设备和小型放大器电路。此外，其250MHz的过渡频率（fT）表明其适用于高频信号处理，如射频（RF）放大和振荡电路。
　　在热性能方面，2SA12202SA-Y 的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有良好的耐热性和环境适应性，适用于工业级和消费级电子设备。同时，其最大集电极电流为100mA，功率耗散为200mW，确保在中低功率应用中具有良好的稳定性。

2SA12202SA-Y 主要应用于以下领域：高频信号放大器、射频（RF）电路、音频前置放大器、开关电路、逻辑电平转换电路以及便携式电子设备中的各种模拟和数字控制电路。此外，该晶体管还广泛用于通信设备、传感器接口电路、嵌入式系统和消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
　　由于其高频特性和小信号放大能力，该晶体管常用于构建共射放大电路、射极跟随器和振荡器电路。在无线通信模块中，它可用于低噪声放大器（LNA）或频率混频器的一部分。在数字电路中，2SA12202SA-Y 通常用于驱动LED、小型继电器或MOSFET栅极控制电路。

2SA1320, 2SA1015, BC847B, BC857B