时间：2025/12/28 10:25:10
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2SA1179-TL-E是一款由Toshiba（东芝）公司生产的P沟道晶体管，属于双极结型晶体管（BJT）类别。该器件常用于开关和放大应用，特别是在需要高增益和低噪声性能的场合。其封装形式为小型表面贴装SOT-23（SC-59），适用于空间受限的高密度印刷电路板设计。该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，适合在工业、消费电子以及通信设备中使用。2SA1179-TL-E通常与NPN晶体管如2SC2712或2SC3074等配对使用，构成互补对称电路，例如在推挽输出级或差分放大器中。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造需求。由于其高频响应特性，它也广泛应用于射频信号处理和音频前置放大电路中。
该型号中的“-TL-E”后缀通常表示编带包装（tape and reel）、符合环保要求（如无铅）以及适用于自动贴片机装配，因此非常适合大规模自动化生产流程。2SA1179系列晶体管采用先进的晶圆制造工艺，确保了参数一致性与长期稳定性。此外，该器件具备较高的集电极-发射极击穿电压，在电源电压波动较大的环境中仍能保持正常工作，增强了系统的鲁棒性。
型号: 2SA1179-TL-E
极性: PNP
最大集电极电流（IC）: -150mA
最大集电极-发射极电压（VCEO）: -150V
最大集电极-基极电压（VCBO）: -150V
最大发射极-基极电压（VEBO）: -6V
最大功耗（Pc）: 200mW
直流电流增益（hFE）: 70 to 700
过渡频率（fT）: 80MHz
工作结温范围（Tj）: -55°C to +150°C
封装类型: SOT-23 (SC-59)
