2SA1036KRLT1G 时间：2025/8/13 9:07:38 阅读：4

2SA1036KRLT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于PNP型晶体管。该器件设计用于高频率和高增益应用，适用于射频（RF）放大器和中频（IF）放大器等电路。其采用了SOT-23（小外形晶体管）封装，适用于表面贴装技术（SMT）安装。这款晶体管以其优良的高频性能和稳定的增益特性而闻名，广泛用于通信设备、无线模块和消费类电子产品的射频电路中。

参数

晶体类型：PNP型双极晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（IC）：150 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　增益带宽积：100 MHz
　　增益（hFE）：在2 mA集电极电流下为70至700（具体取决于等级）

特性

2SA1036KRLT1G 具有优异的高频性能，适合用于射频（RF）和中频（IF）放大器设计。其PNP结构使其能够在负电源供电的电路中高效工作。该晶体管的hFE（电流增益）范围较宽，使其适用于多种放大需求，从低噪声放大到功率放大均可胜任。此外，该器件具有较低的噪声系数，有助于提高信号接收的清晰度和稳定性。SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的热性能，适用于高密度PCB布局。晶体管的可靠性高，能够在恶劣的温度和湿度条件下保持稳定运行。