时间：2025/12/28 20:51:58
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2R3600S-5是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型MOSFET。该器件专为高效率功率转换和开关应用设计，广泛用于电源管理、电机控制、电池管理系统和DC-DC转换器等领域。其封装形式为TO-220AB，具有良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：120A
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220AB
2R3600S-5具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中表现出色，减少了导通损耗并提高了效率。
该器件采用先进的Power MOSFET技术，具有优异的热稳定性和可靠性，适用于高温环境下工作。
其高栅极电压耐受能力（±20V）增强了在不同驱动条件下的稳定性，降低了误触发的风险。
此外，2R3600S-5具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计，有助于减小外部滤波元件的尺寸和成本。
内置的体二极管提供了反向电流保护功能，适用于电机驱动和感性负载控制等场景。
由于其良好的热管理和坚固的封装结构，该MOSFET可在恶劣环境中长期稳定运行。
2R3600S-5常用于工业自动化设备、电源模块、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电动工具、电动车电池管理系统以及电机控制电路中。
在电源管理应用中，它可用于同步整流、负载开关和电源分配系统，提高整体能效。
在电机控制方面，该器件可作为H桥结构中的开关元件，实现高效、可靠的转速和方向控制。
同时，它也适用于大功率LED驱动、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用领域。
STP120N6F6AG, IRF1404ZPBF, FDP120N60SF
