时间：2025/12/28 20:05:36
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2R2000T-8 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于需要高效能开关和功率控制的应用。该器件设计用于在高频率和高电流条件下提供优异的性能，适合于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制等场合。其封装形式为 TO-220，便于散热和安装，同时具备较高的耐压和电流能力，适用于多种工业和消费类电子产品。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压 (Vds)：200V
漏极电流 (Id)：10A
导通电阻 (Rds(on))：0.22Ω
栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
功率耗散：50W
2R2000T-8 功率 MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色。其导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高系统效率。该器件在高温环境下仍能稳定工作，具备良好的热稳定性。此外，其高耐压能力（200V）和较大的漏极电流（10A）使其适用于多种中高功率应用。TO-220 封装设计不仅便于安装，还提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下也能保持稳定运行。2R2000T-8 还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高系统整体效率。
该器件广泛应用于电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、电机控制电路、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制模块。此外，2R2000T-8 也适用于 LED 照明驱动电路、逆变器和各种高效率功率电子设备。
2SK2000, 2SK2001, IRF840, IRF740
