类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：16A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散(Pd)：83W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

2R2000S-8具备优异的导通和开关性能，采用了先进的沟槽栅极技术，降低了导通电阻(Rds(on))，从而减少了导通损耗，提高了效率。此外，其优化的芯片设计确保了器件在高频率下的稳定运行，适合用于高效率的开关电源和逆变器应用。
　　该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，能够在较高的功率下保持稳定的工作状态。TO-220封装也便于安装和散热片的使用，适用于工业级和高功率应用环境。
　　2R2000S-8具有较高的栅极阈值电压稳定性，确保在不同工况下都能实现可靠的导通和关断。同时，其短路耐受能力较强，能够在短暂的过载或短路情况下不损坏，提高了系统的可靠性和安全性。
　　此外，该MOSFET的寄生电容较小，开关速度较快，能够减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电路。同时，它的栅极驱动要求较低，可以与常见的驱动电路兼容，简化了设计流程。

2R2000S-8广泛应用于各种高功率电子系统中。最常见的应用是开关电源（SMPS），如AC/DC电源适配器、DC/DC转换器等，用于高效地进行能量转换和稳压。此外，它也被用于电机控制和驱动电路中，如直流电机驱动器、无刷电机控制器等，提供高效的开关控制功能。
　　在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，2R2000S-8用于实现直流电到交流电的转换，适用于太阳能逆变器、储能系统以及工业自动化设备。其高耐压和大电流能力使其在这些应用中表现出色。
　　此外，该器件还可用于LED驱动器、电池充电器以及各种功率开关电路，适用于工业控制、家电、通信设备等领域。其优异的性能和可靠性使其成为许多高功率设计中的首选MOSFET。

IRF250、IRF240、2R2000S、2R2000T、STP16NF20、FDP20N20