时间：2025/8/30 21:26:52
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2R2000S-5是一款由Renesas（瑞萨电子）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻和高效率，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等多种应用。该MOSFET封装在小型SOP（Small Outline Package）中，具备良好的散热性能，适合高密度PCB设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：12A（在25°C）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（典型值，@VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：22nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP-8
2R2000S-5采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件在高温环境下仍能稳定工作，具备良好的热稳定性。其SOP-8封装设计使得PCB布局更加紧凑，适用于高密度电子设备。此外，该MOSFET具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体电源转换效率。
该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持4.5V至20V之间的栅极驱动，便于与各种控制电路兼容。同时，其内部结构设计优化，降低了寄生电感和电容效应，提高了高频应用中的性能表现。
在可靠性方面，2R2000S-5通过了严格的AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统中的功率管理应用。其高耐用性和稳定性确保在苛刻的工作条件下仍能保持长期可靠运行。
2R2000S-5适用于多种功率电子系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该MOSFET也广泛应用于服务器电源、通信设备电源、消费类电子产品的电源管理和车载电子系统中。
Si9410BDY-T1-GE3, IPD90N03S4-03, BSC010N03MS
