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2PB1219AR,115 发布时间 时间:2025/9/14 0:01:34 查看 阅读:12

2PB1219AR,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型的高频晶体管。该晶体管适用于广泛的模拟和数字电路应用,尤其是在需要高增益和高速切换的场合。

参数

类型: NPN 双极性晶体管
  最大集电极电流(Ic): 100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce): 30V
  最大集电极-基极电压(Vcb): 30V
  最大功耗(Ptot): 300mW
  最大工作温度: 150°C
  封装类型: SOT23
  电流增益(hFE): 110-800(取决于工作电流)
  过渡频率(fT): 100MHz
  存储温度范围: -55°C 至 150°C

特性

2PB1219AR,115 是一款高性能的 NPN 晶体管,具备高过渡频率(fT)和优异的电流放大能力,适用于高频和中频放大器电路。该晶体管采用 SOT23 小型封装,非常适合在空间受限的 PCB 设计中使用。其 hFE 值范围广泛,从 110 到 800 不等,这使得它在不同的偏置条件下都能提供良好的增益性能。此外,该器件的功耗较低,适合电池供电设备和低功耗系统。
  该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。其最大集电极电流为 100mA,适用于小功率放大、开关控制、逻辑电平转换等应用场景。由于其高频特性,2PB1219AR,115 也常用于射频(RF)前端模块、信号放大器和调制解调电路中。
  另一个重要特性是其低饱和电压(Vce_sat),这在开关应用中可以减少功率损耗并提高效率。此外,该晶体管的制造工艺确保了良好的一致性和互换性,适合批量生产使用。

应用

2PB1219AR,115 主要用于各种电子设备中的信号放大、开关控制和逻辑电平转换。它在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子中都有广泛的应用。例如,它可以用于音频放大器的前置放大级、数字电路的接口驱动、LED 显示驱动电路、无线通信模块的射频放大段以及各种传感器信号的调理电路。

替代型号

BC547, 2N3904, BC817

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2PB1219AR,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 30mA,300mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大200mW
  • 频率 - 转换120MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2PB1219AR T/R2PB1219AR T/R-ND934033200115