时间：2025/12/27 8:59:07
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2NM65G-TN3-R是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压制程技术制造，专为高效率开关应用设计。该器件封装在小型化的DFN2020-6L（也称PowerDI5060-6）封装中，具有低热阻和优良的散热性能，适合在空间受限且对热管理要求较高的应用场景中使用。2NM65G-TN3-R的最大漏源电压（VDS）为650V，能够承受高电压瞬态冲击，适用于离线式电源转换系统。其栅极阈值电压典型值约为3.0V至4.0V，支持与标准逻辑电平驱动电路兼容，便于集成到现代数字控制电源系统中。由于采用了先进的超结（Super Junction）结构技术，该MOSFET在保持高击穿电压的同时实现了极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低导通损耗，提升整体能效。此外，该器件还具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。产品符合RoHS环保要求，并通过了相关可靠性认证，适用于工业、消费类及通信领域的多种高电压功率转换场合。
型号：2NM65G-TN3-R
通道类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：650V
最大栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）@25°C：1.8A
脉冲漏极电流（IDM）：7.2A
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：1.15Ω
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V, ID = 0.9A：1.3Ω
栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：35pF @ VDS=50V
输出电容（Coss）：14pF @ VDS=50V
反向恢复时间（trr）：34ns
二极管正向电压（VSD）：1.6V
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN2020-6L (PowerDI5060-6)
安装方式：表面贴装
极性：增强型
功耗（PD）：50W @ TC=25°C
2NM65G-TN3-R的核心优势在于其基于超结（Super Junction）技术实现的高性能平衡。这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域优化电场分布，使得器件在650V高耐压条件下仍能维持较低的导通电阻，有效减少导通状态下的I2R损耗，提高电源系统的整体效率。特别是在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）的PFC电路中，该特性可显著降低温升，延长系统寿命。该MOSFET的DFN2020-6L封装具有极低的内部热阻（RθJC ≈ 2.5°C/W），结合底部散热焊盘设计，可通过PCB铜箔高效散热，即使在高功率密度环境下也能保持稳定运行。同时，封装尺寸仅为2.0mm x 2.0mm，极大节省了PCB布局空间，适用于超薄电源适配器、LED驱动电源等对体积敏感的应用。
该器件具备出色的动态性能，输入电容和输出电容均处于行业领先水平，有助于减少开关过程中的充放电能量损失，从而降低开关损耗，提升高频开关应用的能效。其较快的反向恢复时间（trr=34ns）减少了体二极管在硬开关条件下的拖尾电流，降低了EMI干扰风险。此外，栅极电荷（Qg）较低，进一步减轻了驱动电路的负担，提升了系统的响应速度和控制精度。在可靠性方面，2NM65G-TN3-R经过严格测试，具备良好的dV/dt抗扰能力，能够在高di/dt和dV/dt条件下稳定工作，避免误触发。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在恶劣环境温度下可靠运行，满足工业级应用需求。所有这些特性共同构成了一个高性价比、高可靠性的高压MOSFET解决方案。
2NM65G-TN3-R广泛应用于各类交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）功率转换系统中，尤其适合需要高效率、小体积和高耐压能力的设计场景。典型应用包括：手机、笔记本电脑和其他便携设备的电源适配器；LED照明驱动电源，特别是隔离式反激变换器拓扑中的主开关器件；家用电器中的辅助电源（Auxiliary Power Supply）或待机电源模块；工业控制设备中的开关电源单元（SMPS）；以及电信设备中的板载DC-DC转换器。在有源钳位反激（Active Clamp Flyback, ACF）拓扑中，该MOSFET因其快速开关特性和低寄生参数而表现出优异性能，有助于实现更高频率和更高效率的能量转换。此外，它也可用于功率因数校正（PFC）级电路中作为升压开关管，在轻载和满载条件下均能保持良好效率。由于其符合环保标准并支持自动化贴片生产，因此非常适合大规模量产的消费电子和工业电子产品。
DMTH6006LFG-7
FQP6N60/ACT-ND
STP6NK60ZFP
KSA740AMTX
IPD90R650CE
TK2P65W5L
